一种低温共烧陶瓷的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115781894A(43)申请公布日2023.03.14(21)申请号202111666869.6C04B35/622(2006.01)(22)申请日2021.12.31C04B35/638(2006.01)C04B35/64(2006.01)(71)申请人江苏惟哲新材料有限公司地址214000江苏省无锡市新吴区汉江路15号A区15厂房部分单元15-3(72)发明人陈江翠马浩然焦露露(74)专利代理机构无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙)32227专利代理师顾朝瑞(51)Int.Cl.B28B11/12(2006.01)B28B11/08(2006.01)B28B11/00(2006.01)B24B31/14(2006.01)B24B31/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种低温共烧陶瓷的制备方法(57)摘要本发明提供了一种低温共烧陶瓷的制备方法，其缩短倒角时间，提高低温共烧陶瓷制备效率。其包括以下步骤：落片、打孔、网印、叠片、层压、切割、排胶，其特征在于：在生坯器件完全排胶前从排胶炉中取出置入含有磨削介质的球磨罐中，生坯器件的体积占球磨罐容积的25%~35%，加入的磨削介质为：去除水分的种子，磨削介质的填充量为球磨罐容积的35%~55%，之后启动球磨机对生坯器件进行倒角，倒角完成后再次置入排胶炉中直至完全排胶，完全排胶后置入烧结炉中进行烧结，通过完全排胶和烧结分解烧除磨削后沾染在器件上的磨削介质粉末。CN115781894ACN115781894A权利要求书1/1页1.一种低温共烧陶瓷的制备方法，其包括以下步骤：落片、打孔、网印、叠片、层压、切割、排胶，其特征在于：在生坯器件完全排胶前从排胶炉中取出置入含有磨削介质的球磨罐中，生坯器件的体积占球磨罐容积的25%~35%，加入的磨削介质为：去除水分的种子，磨削介质的填充量为球磨罐容积的35%~55%，之后启动球磨机对生坯器件进行倒角，倒角完成后再次置入排胶炉中直至完全排胶，完全排胶后置入烧结炉中进行烧结，通过完全排胶和烧结分解烧除磨削后沾染在器件上的磨削介质粉末。2.根据权利要求1所述的一种低温共烧陶瓷的制备方法，其特征在于：排胶步骤包括预排胶步骤和完全排胶步骤，所述预排胶步骤为：将生坯器件置入排胶炉中，预排胶的温度峰取出生坯器件进行倒值为正常排胶温度峰值的1/3~1/2，预排胶的时间为15~60分钟，之后角；完全排胶的温度峰值为正常排胶温度峰值。3.根据权利要求2所述的一种低温共烧陶瓷的制备方法，其特征在于：落片步骤为：将由陶瓷/玻璃粉末和有机物混合组成的卷料带根据加工需求裁切成方形生瓷片；打孔步骤为：将制得的生瓷片根据需要开设功能孔腔；网印步骤为：在生瓷片表面通过丝网印刷的方式印刷金属浆料构成设计电路，以及填充连接通孔；叠片步骤为：使用叠片工装或自动叠片机的方式对准印刷有不同设计图形的各层生瓷，各层间构成立体结构；层压步骤为：将叠片完毕的生瓷堆叠加热并施加压力，使生瓷粘合成整体；切割步骤为：使用切割机将生瓷坯分割成独立器件；排胶步骤为：对生坯器件进行加热用于排除生坯器件中的有机物；烧结步骤为：将器件置入烧结炉中烧结成瓷。4.根据权利要求3所述的一种低温共烧陶瓷的制备方法，其特征在于：其还包括位于烧结步骤后的后烧步骤：在器件平面或侧面印刷导体浆料，再次使用烧结炉将器件表面导体金属化。5.根据权利要求1‑4任一所述的一种低温共烧陶瓷的制备方法，其特征在于：所述去除水分的种子为小米、高粱、谷壳、水稻、豆类中的一种或者多种。6.根据权利要求5所述的一种低温共烧陶瓷的制备方法，其特征在于：球磨罐转速为30rpm~80rpm，倒角时间为0.5h~2h。2CN115781894A说明书1/3页一种低温共烧陶瓷的制备方法技术领域[0001]本发明涉及低温共烧陶瓷制备技术领域，具体为一种低温共烧陶瓷的制备方法。背景技术[0002]低温共烧陶瓷元件及功能器件在制造过程中，为了满足安装需要，需要对其角落进行倒角处理，使其边角变得圆滑，避开发生崩角，而如果不进行倒角处理，制备外电极时端银将不能完整包覆端头，使得瓷体部分裸露出来，造成在电镀时电镀液渗入，影响低温共烧陶瓷器件的使用可靠性。同时，为了在制备外电极后，外电极能与内电极充分接触产生良好的电气性能，还需要保证内电极能够充分外露。[0003]现在的低温共烧陶瓷在制备过程中，会在烧结完成后利用球磨罐来进行倒角，采用例如氧化锆、碳化硅等十分坚硬的材料来作为磨料，通过低温共烧陶瓷器件与磨削介质的碰撞对低温共烧陶瓷器件的棱角进行磨削，从而得到边缘圆润无尖角的器件。但烧后的产品用上述工艺倒角往往需要较长时间，一般需要8‑24小时。并且在倒角后需要超声清洗并干燥，