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一种新型N型硅片及其制备方法.pdf
2023-05-23
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海昌****姐淑
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一种新型N型硅片及其制备方法.pdf
本发明公开了一种新型N型硅片及其制备方法,所述新型N型硅片的制备方法包括如下步骤:(1)将单晶硅棒切割成长方形硅片;(2)对步骤(1)的长方形硅片进行预腐蚀清洗,去除硅片表面损伤层;(3)对步骤(2)的长方形硅片进行链式高温吸杂处理,在硅片表面形成一层吸杂层,获得新型N型硅片。本发明提高了切片工艺的TTV良率,更容易实现切更薄的硅片,有效提高了切割品质和硅棒利用率;消除了切割损伤,进而消除现有整片电池片因为切割损伤带来的效率和功率损失。本发明的新型N型硅片降低了硅片本体的金属杂质含量,提高了硅片的质量水平
2023-05-23
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一种N型硅片的吸杂方法，对化学清洗及抛光后的硅片机体在700‑850°高温下退火炉内进行退火吸杂，退火吸杂过程中将氧气通入退火炉内，在氧气进入退火炉之前，氧气在低温纯水瓶内水浴通过，使氧气携带水蒸气进入退火炉内进行氧化反应；随后往退火炉内通入氮气，氮气进入退火炉之前，氮气在20℃恒温三氯氧磷恒温瓶内通过，使氮气携带三氯氧磷进入退火炉内，其通过对硅片机体进行高温退火处理，有效防止沉积金属离子杂质到硅片内部形成缺陷，改善N型硅片的质量，使得电池的转换效率更集中，综合效率提升可超过0.2%。
2023-06-15
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本发明提供一种n型硅片热处理方法，所述热处理方法至少包括：提供待处理的n型硅片，将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中，升温至一定值，往所述热处理炉中通入氧气，并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂，以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层，热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。本发明的n型硅片通过热处理之后，可以降低n型硅片中由杂质元素的浓度和热应力产生的复合中心，提高n型硅片的质量、均匀性以及n型硅片中载流子的寿命，从而提高太阳电池的转换效率。
2023-06-18
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一种N型IBC电池及其制备方法.pdf
本发明提供一种N型IBC电池及其制备方法，所述N型IBC电池的制备方法包括如下步骤：硅片双面抛光；硅片抛光面进行单面硼扩散，并用HF酸去除硼硅玻璃；前表面制绒；硅片前表面使用扩散炉进行磷扩散；用PECVD设备在硅片两面镀氮化硅；在硅片背表面使用激光开孔；碱液腐蚀背表面开孔区，再用氢氟酸清洗掉氮化硅；在背表面印刷磷浆，并高温驱入，后清洗；在硅片正表面和背表面均生长二氧化硅和氮化硅进行钝化；硅片背面印刷银电极和银铝浆，进行一次烧结。本发明利用简单的设备及工艺就能实现IBC电池结构的制备，利用激光设备和丝网印刷
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一种N型高效电池及其制备方法.pdf
本发明涉及一种N型高效电池，包括发射极层、正面金属层、背面金属、钝化膜层、N型硅片、背面减反射膜层和前面减反射膜层，在N型硅片的基底和发射极层使用纳米硼浆进行硼掺杂形成局部掺杂层，所述局部掺杂层与所述正面金属层形成欧姆接触。本发明还公开一种N型高效电池的制备方法。本发明具有如下的有益效果：效率高于22％，且可以低成本量产化；解决了在不同区域进行选择性硼浓度掺杂的性能问题；浆料在烘干后仅仅只剩下硅硼组合物，无碳残留，不会对硅片基底造成污染。
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