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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号CN105624795B(45)授权公告日2018.05.15(21)申请号201610133650.2H01L31/18(2006.01)(22)申请日2016.03.09(56)对比文件(65)同一申请的已公布的文献号CN103413867A,2013.11.27,说明书第18-申请公布号CN105624795A28段.EP0844654A2,1998.05.27,全文.(43)申请公布日2016.06.01JP特许第3386083B2,2003.01.10,全文.(73)专利权人中国科学院上海微系统与信息技CN101980381A,2011.02.23,全文.术研究所CN102867879A,2013.01.09,全文.地址200050上海市长宁区长宁路865号审查员程愉悻(72)发明人刘正新祝方舟王栋良刘金宁(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219代理人唐棉棉(51)Int.Cl.C30B33/02(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图2页(54)发明名称一种n型硅片热处理方法(57)摘要本发明提供一种n型硅片热处理方法,所述热处理方法至少包括:提供待处理的n型硅片,将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中,升温至一定值,往所述热处理炉中通入氧气,并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂,以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层,热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。本发明的n型硅片通过热处理之后,可以降低n型硅片中由杂质元素的浓度和热应力产生的复合中心,提高n型硅片的质量、均匀性以及n型硅片中载流子的寿命,从而提高太阳电池的转换效率。CN105624795BCN105624795B权利要求书1/1页1.一种n型硅片热处理方法,其特征在于,所述n型硅片热处理方法至少包括:提供待处理的n型硅片,将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中,升温至一定值,往所述热处理炉中通入氧气,并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂,以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层,热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层,其中,往热处理炉中导入含有n型掺杂元素的扩散剂和导入氧气的先后顺序选自于先通入氧气后提供含有n型掺杂元素的扩散剂、先提供含有n型掺杂元素的扩散剂后通入氧气中以及同时通入氧气和提供含有n型掺杂元素的扩散剂中的任意一种。2.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法,其特征在于:所述热处理炉中通入载气,使所述热处理炉内维持恒定的气压,所述气压为常压或者在常压附近正负0.5个大气压以内,所述载气为氮气、氩气或者氦气中的一种或多种的混合气体。3.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法,其特征在于:所述含有n型掺杂元素的扩散剂为气体或者固体,当所述含有n型掺杂元素的扩散剂为气体时,所述含有n型掺杂元素的扩散剂在所述氧气通入之前、或者之后、或者同时通入所述热处理炉中;当所述含有n型掺杂元素的扩散剂为固体时,在所述n型硅片置于热处理炉之前,将所述含有n型掺杂元素的扩散剂以涂覆、印刷或者喷墨打印的方式形成在所述n型硅片的表面。4.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法,其特征在于:将所述n型硅片置于热处理炉进行热处理之前,所述热处理炉的温度为600~800℃。5.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法,其特征在于:在所述热处理炉内进行热处理的温度范围为800~1050℃。6.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法,其特征在于:在所述热处理炉内进行热处理的温度分两个阶段,先在800~1050℃的高温下进行热处理,再在600~800℃的低温下进行热处理。7.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法,其特征在于:形成的所述n型掺杂层的厚度在10纳米至1微米之间,所述n型掺杂层的浓度在1×1018cm-3至8×1021cm-3之间。8.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法,其特征在于:形成的所述氧化硅层的厚度在10纳米至5微米之间。9.根据权利要求1所述的n型硅片热处理方法,其特征在于:热处理完成后,采用化学刻蚀或者物理剥离的方法去除形成在所述n型硅片表面的氧化硅层和n型掺杂层。2CN105624795B说明书1/7页一种n型硅片热处理方法技术领域[0001]本发明涉及半导体材料中的硅材料领域,特别是涉及一种n型硅片热处理方法。背景技术[0002]硅材料是半导体技术的基础,晶体硅片的制作是所有硅基半导体器件的基本材料,其质量直接影响半导体器件的性能。晶体硅片的主要技术指标除电阻率外,还包括缺陷和位错密度,杂质浓度等,其电学性质受制作过程中的热应力和杂质元素所引起的载流子复合中心的影响。随