一种n型硅片热处理方法.pdf
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相关资料
一种n型硅片热处理方法.pdf
本发明提供一种n型硅片热处理方法,所述热处理方法至少包括:提供待处理的n型硅片,将所述n型硅片置于具有一定温度的热处理炉中,升温至一定值,往所述热处理炉中通入氧气,并且向所述n型硅片表面提供含有n型掺杂元素的扩散剂,以在所述n型硅片表面形成氧化硅层和n型掺杂层,热处理完成后去除所述氧化硅层和n型掺杂层。本发明的n型硅片通过热处理之后,可以降低n型硅片中由杂质元素的浓度和热应力产生的复合中心,提高n型硅片的质量、均匀性以及n型硅片中载流子的寿命,从而提高太阳电池的转换效率。
一种N型硅片的吸杂方法.pdf
一种N型硅片的吸杂方法,对化学清洗及抛光后的硅片机体在700‑850°高温下退火炉内进行退火吸杂,退火吸杂过程中将氧气通入退火炉内,在氧气进入退火炉之前,氧气在低温纯水瓶内水浴通过,使氧气携带水蒸气进入退火炉内进行氧化反应;随后往退火炉内通入氮气,氮气进入退火炉之前,氮气在20℃恒温三氯氧磷恒温瓶内通过,使氮气携带三氯氧磷进入退火炉内,其通过对硅片机体进行高温退火处理,有效防止沉积金属离子杂质到硅片内部形成缺陷,改善N型硅片的质量,使得电池的转换效率更集中,综合效率提升可超过0.2%。
一种新型N型硅片及其制备方法.pdf
本发明公开了一种新型N型硅片及其制备方法,所述新型N型硅片的制备方法包括如下步骤:(1)将单晶硅棒切割成长方形硅片;(2)对步骤(1)的长方形硅片进行预腐蚀清洗,去除硅片表面损伤层;(3)对步骤(2)的长方形硅片进行链式高温吸杂处理,在硅片表面形成一层吸杂层,获得新型N型硅片。本发明提高了切片工艺的TTV良率,更容易实现切更薄的硅片,有效提高了切割品质和硅棒利用率;消除了切割损伤,进而消除现有整片电池片因为切割损伤带来的效率和功率损失。本发明的新型N型硅片降低了硅片本体的金属杂质含量,提高了硅片的质量水平
N型硅片的吸杂方法和磷吸杂设备.pdf
本发明提供了一种N型硅片的吸杂方法和磷吸杂设备,包括在硅片的至少一个表面上形成磷浆层;对形成有磷浆层的硅片进行链式扩散退火,链式扩散退火包括升温阶段、恒温阶段和降温阶段,升温阶段和降温阶段均分别包含具有不小于30℃/min的温度骤变度,使得磷浆层与硅片中的杂质互溶而形成磷硅吸杂层;去除磷硅吸杂层。本发明使用磷浆层喷涂叠加链式扩散退火炉技术进行磷吸杂,磷浆层的喷涂与链式扩散退火炉集成在一起,通过更优温度条件和强光辐射下扩散实现快速磷重掺杂,同时使用快速退火技术,使得金属杂质固定并析出在磷硅吸杂层,扩散温度
一种硅片表面钝化方法及基于其的N型双面电池的制作方法.pdf
本发明涉及一种硅片表面钝化方法及基于其的N型双面电池的制作方法,它包括以下步骤:(a)采用HF溶液或者含HF的第一混酸溶液对硅片的表面进行处理,除去氧化层、硼硅玻璃或/和磷硅玻璃;(b)采用碱液中和步骤(a)中残留的酸性溶液;(c)去除硅片表面残留的碱液和金属杂质;(d)在紫外线照射下,用臭氧气体吹扫硅片表面或者将硅片浸在含臭氧的水中,在硅片表面形成氧化硅。只需要在紫外线照射下,用臭氧气体吹扫硅片表面或者将硅片浸在含臭氧的水中,即可在硅片表面形成氧化硅,该步骤可以在常温下完成,大大降低了成本,尤其适用于大