一种N型硅片的吸杂方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115775845A(43)申请公布日2023.03.10(21)申请号202211508712.5(22)申请日2022.11.29(71)申请人尚义县荣登新能源有限公司地址076750河北省张家口市尚义县南壕堑镇太平街大市场院内北11号底商(72)发明人安艳龙王步峰王强陈斌(51)Int.Cl.H01L31/18(2006.01)H01L31/04(2014.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种N型硅片的吸杂方法(57)摘要一种N型硅片的吸杂方法，对化学清洗及抛光后的硅片机体在700‑850°高温下退火炉内进行退火吸杂，退火吸杂过程中将氧气通入退火炉内，在氧气进入退火炉之前，氧气在低温纯水瓶内水浴通过，使氧气携带水蒸气进入退火炉内进行氧化反应；随后往退火炉内通入氮气，氮气进入退火炉之前，氮气在20℃恒温三氯氧磷恒温瓶内通过，使氮气携带三氯氧磷进入退火炉内，其通过对硅片机体进行高温退火处理，有效防止沉积金属离子杂质到硅片内部形成缺陷，改善N型硅片的质量，使得电池的转换效率更集中，综合效率提升可超过0.2%。CN115775845ACN115775845A权利要求书1/1页1.一种N型硅片的吸杂方法，包括对金刚线切割后的硅片进行化学清洗及抛光工艺，其特征在于对化学清洗及抛光后的硅片机体在700‑850°高温下退火炉内进行退火吸杂，退火吸杂过程中将氧气通入退火炉内，在氧气进入退火炉之前，氧气在低温纯水瓶内水浴通过，使氧气携带水蒸气进入退火炉内进行氧化反应；随后往退火炉内通入氮气，氮气进入退火炉之前，氮气在20℃恒温三氯氧磷恒温瓶内通过，使氮气携带三氯氧磷进入退火炉内。2.根据权利要求1所述的一种N型硅片的吸杂方法，其特征在于往退火炉内还通入氯化氢及氧气混合气体。3.根据权利要求1所述的一种N型硅片的吸杂方法，其特征在于通入退火炉内的氧气量为100‑5000sccm，通入退火炉内的氮气量为100‑3000sccm。4.根据权利要求2所述的一种N型硅片的吸杂方法，其特征在于氯化氢与氧气的混合量为氯化氢100‑1000sccm，氧气100‑3000sccm。5.根据权利要求1所述的一种N型硅片的吸杂方法，其特征在于氧气与氮气在退火炉内的合计反应时间为200‑6000秒。2CN115775845A说明书1/3页一种N型硅片的吸杂方法技术领域[0001]本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种N型晶体硅电池使用的N型硅片的吸杂方法。背景技术[0002]目前N型单晶硅电池在生产过程，普遍使用的N型单晶硅片，由于N型硅的掺杂剂使用的磷元素，由于磷具有较低的分凝系数，导致在连续拉晶过程中，N型硅片的电阻率分布及勺子寿命分布较广。电阻率过低的部分由于其机体内杂质含量较高，过量的掺杂磷在体内导致光生载流子的复合加剧，残留金属离子对硅材料形成深能级的复合中心，导致电池的转换效率较低，且较低电阻率的硅片直接回收，会导致成本的极大的浪费。发明内容[0003]为解决现有技术存在的问题，本发明提供一种N型硅片的吸杂方法，其通过对硅片机体进行高温退火处理，有效防止沉积金属离子杂质到硅片内部形成缺陷，改善N型硅片的质量，使得电池的转换效率更集中，综合效率提升可超过0.2%。[0004]为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：一种N型硅片的吸杂方法，包括对金刚线切割后的硅片进行化学清洗及抛光工艺，对化学清洗及抛光后的硅片机体在700‑850°高温下退火炉内进行退火吸杂，退火吸杂过程中将氧气通入退火炉内，在氧气进入退火炉之前，氧气在低温纯水瓶内水浴通过，使氧气携带水蒸气进入退火炉内进行氧化反应；随后往退火炉内通入氮气，氮气进入退火炉之前，氮气在20℃恒温三氯氧磷恒温瓶内通过，使氮气携带三氯氧磷进入退火炉内。[0005]进一步的，往退火炉内还通入氯化氢及氧气混合气体。[0006]进一步的，通入退火炉内的氧气量为100‑5000sccm，通入退火炉内的氮气量为100‑3000sccm。[0007]进一步的，氯化氢与氧气的混合量为氯化氢100‑1000sccm，氧气100‑3000sccm。[0008]进一步的，氧气与氮气在退火炉内的合计反应时间为200‑6000秒。[0009]与现有技术相比，本发明的有益效果在于：1，由于本发明在氧源进入退火炉前水浴纯水，因此，氧源进入退火炉内后形成一定量的水蒸气，该水蒸气在于氧气共同作用在硅片上形成二氧化硅层的同时，有效增加三氯氧磷同氧气的反应，反应生成的磷原子，在高温条件下向硅片内部进行扩散，磷原子在扩散过程中会吸附硅片表面及内部的金属离子，使其从游离态限制到硅片氧化反应轴的缺陷位，有效实现吸杂的目的；2，在磷原子吸杂的同时，本发明还通入氯化氢气体，从而