一种N型高效电池及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106158992A(43)申请公布日2016.11.23(21)申请号201610623742.9(22)申请日2016.08.02(71)申请人苏州金瑞晨科技有限公司地址215100江苏省苏州市吴中区吴中经济开发区澄湖东路5号(72)发明人杨小旭刘国钧毛立中沈晓东(74)专利代理机构北京同恒源知识产权代理有限公司11275代理人刘宪池(51)Int.Cl.H01L31/0224(2006.01)H01L31/0288(2006.01)H01L31/18(2006.01)H01L21/225(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种N型高效电池及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种N型高效电池，包括发射极层、正面金属层、背面金属、钝化膜层、N型硅片、背面减反射膜层和前面减反射膜层，在N型硅片的基底和发射极层使用纳米硼浆进行硼掺杂形成局部掺杂层，所述局部掺杂层与所述正面金属层形成欧姆接触。本发明还公开一种N型高效电池的制备方法。本发明具有如下的有益效果：效率高于22％，且可以低成本量产化；解决了在不同区域进行选择性硼浓度掺杂的性能问题；浆料在烘干后仅仅只剩下硅硼组合物，无碳残留，不会对硅片基底造成污染。CN106158992ACN106158992A权利要求书1/1页1.一种N型高效电池，包括发射极层、正面金属层、背面金属、钝化膜层、N型硅片、背面减反射膜层和前面减反射膜层，其特征在于：在N型硅片的基底和发射极层使用纳米硼浆进行硼掺杂形成局部掺杂层，所述局部掺杂层与所述正面金属层形成欧姆接触。2.一种N型高效电池的制备方法，其特征在于：其包括的步骤如下：(1)纳米硼浆料正面线印刷；(2)与三溴化硼共同进行高温扩散；所述(1)步骤中，在印刷金属栅线的位置先使用了纳米硅硼浆料进行正面的线印刷；所述(2)步骤中，将线印刷后带有纳米硅硼浆的硅基底，放置进高温扩散炉，在900-1050℃下通入三溴化硼气体进行正面的高温扩散。3.根据权利要求2所述的一种N型高效电池的制备方法，其特征在于：在非印刷区域，三溴化硼扩散形成低浓度掺杂，掺杂后方阻为90-120Ω/口；在线印刷区域，在高温下即可以形成高浓度掺杂，掺杂后方阻为30-90Ω/口。4.根据权利要求3所述的一种N型高效电池的制备方法，其特征在于：印刷的位置处于正面金属化栅线的下方，印刷宽度大于等于正面栅线的宽度。5.根据权利要求4所述的一种N型高效电池的制备方法，其特征在于：印刷厚度为烘干后0.5-10微米厚。6.根据权利要求5所述的一种N型高效电池的制备方法，其特征在于：纳米硅硼浆干燥的烘干温度180-220℃，烘干时间为1-2分钟。7.根据权利要求4所述的一种N型高效电池的制备方法，其特征在于：高温处理纳米硅硼浆的温度范围900-1050℃，高温热处理时间为1-2小时。8.根据权利要求2所述的一种N型高效电池的制备方法，其特征在于：所述纳米硅硼浆，所述纳米硅硼浆包括以下重量份数组分：掺硼纳米硅3-20份、合成檀香20-80份、添加剂0-10份。9.根据权利要求8所述的一种N型高效电池的制备方法，其特征在于：所述掺硼纳米硅的粒径为10-200纳米。10.根据权利要求8所述的一种N型高效电池的制备方法，其特征在于：所述添加剂包括流平剂和消泡剂；所述流平剂是聚甲基苯基硅氧烷、羟甲基纤维素、氟改性丙烯酸酯中的一种或两种以上的混合物；所述消泡剂是聚氧丙烯聚氧乙烯甘油醚、聚二甲基硅氧烷、磷酸三丁酯中的一种或两种以上的混合物。2CN106158992A说明书1/4页一种N型高效电池及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及新材料及新能源领域，具体的说，是涉及一种N型高效电池及其制备方法。背景技术[0002]现有P型晶体硅太阳能电池的效率通常低于20％。目区别于P型电池(在硅片中掺杂少许硼元素即为P型硅片)，N型电池((在硅片中掺杂少许磷元素即为N型硅片))的效率高于20％的发电电池正走出实验室面向量产。在现有N型电池片制备工艺中，一般仅设有发射极层，在正面金属化烧结的过程中，银栅线与硅片基底的欧姆接触不好，不仅影响栅线的可靠性，还影响了电池的电流输出，影响光电转换效率。发明内容[0003]本发明的第一目的是为了解决上述现有技术的缺陷，提供一种N型高效电池，其效率高于22％，且性能可靠，生产投入低，制造成本低。[0004]本发明的第二目的是提供所述N型高效电池的制备方法。[0005]为解决上述的技术问题，本发明采用如下技术方案：一种N型高效电池，包括发射极层、正面金属层、背面金属、钝化膜层、N型硅片、背面减反射膜层和前面减反射膜层，在N型硅片的基底和发射极层使用纳米硼浆进行硼掺杂形成局部掺杂层，