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本发明公开了一种晶圆级封装结构及工艺,涉及集成电路封装技术领域。该晶圆级封装结构,包括:基板;印制在基板的第一表面上形成的至少2个引出电极;印制在基板的第二表面上形成的至少2个键合焊盘;其中,引出电极与键合焊盘一一对应,且相对应的引出电极与键合焊盘之间通过贯穿基板的金属化过孔连接;贴装在基板的第二表面上的裸晶;裸晶与键合焊盘之间通过金属线连接;位于基板的第二表面上,覆盖裸晶、键合焊盘和金属线的封装保护层。本发明的封装结构通过采用印刷工艺形成基板上的引出电极,避免了采用覆铜板蚀刻工艺的工序复杂、效率低、存在污染的缺陷,实现低成本、高效率的简易工艺,适宜大规模工艺化生产。