量子点-聚合物复合物图案、其制造方法和显示装置.pdf
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相关资料
量子点-聚合物复合物图案、其制造方法和显示装置.pdf
公开了一种量子点‑聚合物复合物图案、制造方法和包括该量子点‑聚合物复合物图案的显示装置,该量子点‑聚合物复合物图案包括被构造为发射预定波长的光的至少一个重复部分。量子点‑聚合物复合物包括聚合物基质和分散在聚合物基质中的多个无镉量子点,聚合物基质包括包含含羧基的重复单元的线性聚合物,量子点‑聚合物复合物对大约450nm波长的光具有大于或等于大约85%的光吸收率,并且在傅里叶变换红外光谱中具有大于或等于大约2.6的羟基峰相对于丙烯酸酯峰的面积比。
量子点、其制造方法及包括该量子点的复合物和显示装置.pdf
公开了一种量子点、其制造方法以及包括其的量子点复合物和装置,其中,量子点包括包含铟(In)、镓、锌(Zn)、磷(P)和硫(S)的合金半导体纳米晶体,在量子点中,镓相对于铟的摩尔比(Ga:In)大于或等于约0.2:1,磷相对于铟的摩尔比(P:In)大于或等于约0.95:1,量子点不包括镉,在量子点的UV‑Vis吸收光谱中,第一吸收峰存在于小于或等于约520nm的范围内。
量子点、其制造方法、量子点-聚合物复合物和包括其的电子装置.pdf
本发明涉及量子点、其制造方法、量子点?聚合物复合物和包括其电子装置。量子点具有钙钛矿晶体结构和包括由化学式1表示的化合物,其中,A为选自Rb、Cs、Fr、及其组合的IA族金属,B为选自Si、Ge、Sn、Pb、及其组合的IVA族金属,X为选自F、Cl、Br、和I的卤素、BF<base:Sub>4</base:Sub><base:Sup>?</base:Sup>、或其组合,和α大于0且小于或等于约3;和其中所述量子点具有约1纳米?约50纳米的尺寸。化学式1ABX<base:Sub>3+α</base:Sub>
量子点、包括量子点的量子点聚合物复合物和显示装置.pdf
公开了一种量子点、包括该量子点的量子点聚合物复合物和显示装置,其中,量子点包括:模板,包括第一半导体纳米晶体;量子阱(例如,量子阱层),设置在模板上;以及壳,设置在量子阱上,壳包括第二半导体纳米晶体,并且其中,量子点不包括镉,其中,第一半导体纳米晶体包括第一锌硫属化物,其中,第二半导体纳米晶体包括第二锌硫属化物,并且量子阱层包括包含铟(In)、磷(P)、锌(Zn)和硫属元素的合金半导体纳米晶体,其中,合金半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小,且比第二半导体纳米晶体的带隙能小。
量子点复合物的制备方法及由其制备的量子点复合物.pdf
本申请公开了一种量子点复合物的制备方法,包括步骤:S1、将量子点与第一单体混合,得到第一单体修饰的量子点;S2、向第一单体修饰的量子点中加入第二单体,第二单体与第一单体反应形成超支化聚合物,得到超支化聚合物修饰的量子点复合物;其中,第一单体、第二单体分别包含双键、三键中的至少一种。本申请使加入的单体之间相互反应,在量子点的表面修饰了紧密的超支化聚合物层,从而获得了稳定性高的量子点复合物,有效减少了外界环境中水汽对量子点发光性能的影响,进一步扩大了量子点的应用使用范围。