用于恶劣介质应用的键合焊盘保护.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108461407A(43)申请公布日2018.08.28(21)申请号201810107192.4(22)申请日2018.02.02(30)优先权数据17154431.52017.02.02EP(71)申请人迈来芯科技有限公司地址比利时特森德洛(72)发明人A·J·范德维尔(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100代理人李炜黄嵩泉(51)Int.Cl.H01L21/60(2006.01)H01L23/488(2006.01)权利要求书3页说明书15页附图8页(54)发明名称围绕所述连续部分(301)的边缘所述至少一个钝用于恶劣介质应用的键合焊盘保护化层(421)。(57)摘要本发明涉及用于制造半导体器件的方法并且涉及用于在恶劣介质中使用的相关半导体器件(1，2，3，4，5，6)。所述半导体器件包括：硅管芯(420)，所述硅管芯包括金属接触区(422)；以及至少一个钝化层(421)，所述至少一个钝化层覆盖所述半导体管芯(420)并且被图案化从而形成通向所述半导体管芯(420)的所述金属接触区(422)的开口。所述器件还包括接触层(428，128，528)的连续部分(301)，所述接触层包括耐火金属。这个连续部分(301)与所述至少一个钝化层(421)中的所述开口重叠并完全覆盖所述开口，在所述开口中与所述金属接触区(422)接触并且沿着所述连续部分(301)的整个边缘粘合至所述至少一个钝化层(421)。所述接触层包括至少粘合层和至少扩散阻挡层。所述器件进一步包括：贵金属层，布置在所述接触层的上方并完全覆盖所述连续部分(301)，其中，所述贵金属层在所述CN108461407A连续部分(301)的整个边缘上方延伸从而粘合至CN108461407A权利要求书1/3页1.一种用于制造在恶劣介质中使用的半导体器件的方法，所述方法包括：-提供包括金属接触区(422)的半导体管芯(420)；-由至少一个钝化层(421)来覆盖所述半导体管芯(420)，并且对所述至少一个钝化层(421)进行图案化，从而形成开口以便暴露所述半导体管芯(420)的所述金属接触区(422)；-在暴露的金属接触区(422)上形成包括耐火金属的接触层(428；128；528)，其中，所述接触层包括至少粘合层和至少扩散阻挡层；-对所述接触层进行图案化，从而通过围绕所述接触层的连续部分(301)的整个边缘暴露所述至少一个钝化层(421)以在所述暴露的金属接触区(422)上方限定所述连续部分，其中，所述接触层的所述连续部分(301)与所述至少一个钝化层(421)中的所述开口重叠并完全覆盖所述开口；以及-在所述接触层(428；128；528)上方提供贵金属层，从而完全覆盖所述接触层的所述连续部分(301)，其中，所述贵金属层还在所述接触层的所述连续部分(301)的所述边缘上方延伸，从而粘合至围绕所述连续部分(301)的边缘的被暴露的所述至少一个钝化层(421)，其中，所述提供所述贵金属层包括：在所述接触层的所述连续部分(301)上并且在围绕所述连续部分的边缘的被暴露的所述至少一个钝化层上溅射所述贵金属，从而通过在所述溅射的贵金属与所述接触层之间并且在所述溅射的贵金属与所述至少一个钝化层之间进行原子键合来建立机械连接。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述对所述接触层(128)进行图案化包括：对所述接触层(128)进行图案化，从而使得所述接触层的所述连续部分(301)在远离所述开口的方向上延伸，从而形成在所述金属接触区(422)上方并远离所述金属接触区而延伸的重分布键合焊盘区域(150)。3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，溅射所述贵金属包括：溅射贵金属晶种层(429)以便在所述接触层的所述连续部分(301)上并且在围绕所述连续部分的边缘的被暴露的所述至少一个钝化层上进行电镀，并且其中，提供所述贵金属层进一步包括：将所述贵金属(424)电镀至所述贵金属晶种层(429)上。4.如权利要求3所述的方法，其中，提供所述贵金属层进一步包括：在所述贵金属晶种层(429)上方形成电镀模具(433)，其中，电镀所述贵金属(424)包括：将所述贵金属(424)电镀至由所述电镀模具限定的模具开口内部的所述贵金属晶种层(429)上，其中，提供所述贵金属层进一步包括：在电镀所述贵金属(424)之后，移除所述电镀模具(433)，并且其中，提供所述贵金属层进一步包括：在所述贵金属晶种层(429)和/或所述接触层(428；128)未被所述经电镀的贵金属(424)覆盖之处移除所述贵金属晶种层和/或所述接触层。5.如权利要求4所述的方法，其中，所述模具开口在平行于所述半导体管芯的平面内具有占用区，所述占用区比所