一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片.pdf

本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片,该LED外延片包括N型掺杂复合层,所述N型掺杂复合层是由第一N型掺杂GaN层、未故意掺杂的超晶格层以及第二N型掺杂GaN层依次生长而成的结构,其中,所述第一N型掺杂GaN层和所述第二N型掺杂GaN层中掺杂有Si,所述第一N型掺杂GaN层中掺杂Si的浓度大于所述第二N型掺杂GaN层中掺杂Si的浓度,所述未故意掺杂的超晶格层为InxGa1?xN/AlyGa1?yN层,且x>0,y≤1。通过本发明可以在提高LED的空穴迁移率的同时,调整电子迁移率,从而达到改善多量子阱内电子?空穴波函数重叠率,提高发光效率的目的。