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一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片.pdf

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本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片,LED外延片包括多量子阱层,多量子阱层是由量子阱层和量子垒层交替生长而成的周期性结构,量子阱层包括第一子层和第二子层,第一子层为InxGa1?xN/InyGa1?yN层,第二子层为Si掺杂的n型InyGa1?yN/InxGa1?xN层,且x>y,量子垒层为GaN层,其中,第一子层的In组分从第一子层的一端向相对的另一端逐渐减少,第二子层的In组分从第二子层的一端向相对的另一端逐渐增加。通过本发明可以解决当GaN基LED外延片的有源层采用的材料为InGaN/GaN时,晶格失配导致的LED发光效率下降的问题。