一种mini LED、micro LED封装胶及其制备方法.pdf
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一种mini LED、micro LED封装胶及其制备方法.pdf
一种miniLED、microLED封装胶及其制备方法。本发明属于胶黏剂领域。本发明为解决现有LED封装胶室温固化时间过长以及现有miniLED、microLED封装胶制程复杂、成本高和不耐紫外线的技术问题。本发明的一种miniLED、microLED封装胶按质量份数由环氧树脂、抗氧化剂、消泡剂、固化剂、促进剂、紫外吸收剂、粘度调节剂制备而成,所述固化剂为有机硅改性脂环胺类固化剂或有机硅改性脂肪胺类固化剂。方法:步骤1:按比例向环氧树脂中加入抗氧化剂、消泡剂、紫外吸收剂和粘度调节剂,搅拌均匀后静置20mi
一种环保LED封装胶及其制备方法.pdf
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LED封装胶的制备及其性能的研究.docx
LED封装胶的制备及其性能的研究LED封装胶作为一种固化材料,在LED芯片的封装过程中发挥着非常重要的作用。本文将对LED封装胶的制备及其性能进行研究,为进一步提高LED封装技术的发展提供理论基础和技术支持。一、LED封装胶的制备1、材料准备LED封装胶的制备需要用到环氧树脂、聚酰亚胺分子、硅基固化剂、硅酸二乙酯、聚酸酯、弱碱性树脂、表面活性剂等材料。其中,环氧树脂和聚酰亚胺分子是主要材料。2、混合物制备将环氧树脂和聚酰亚胺分子按照一定的比例混合,然后加入硅基固化剂和硅酸二乙酯,轻轻搅拌均匀。3、胶水制备
一种紫外光LED封装胶及其制备方法.pdf
一种紫外光LED封装胶,其特征在于由下述重量配比的原料制成:甲基乙烯基聚氟硅氧烷50-80份,交联剂25-40份,催化剂0.1-0.5份,抑制剂0.01-0.1份,辅料0-5份。本发明还提供上述紫外光LED封装胶的一种制备方法。本发明的紫外光LED封装胶具有高紫外光透过率、耐辐射、耐高低温、耐候等优良性能,其折射率为1.40-1.42,粘度在1000-7000mPa.s(25℃)之间,固化后硬度从30?70A之间可调,适合用于100-400纳米的紫外光LED的密封保护。本发明紫外光LED封装胶的制备方法原
一种Micro LED芯片及其制备方法.pdf
本发明实施例公开了一种MicroLED芯片及其制备方法。其中制备方法包括:提供衬底;在衬底一侧依次形成n型氮化镓层、量子阱有源层以及p型氮化镓层;利用电感耦合等离子体ICP刻蚀技术,去除n电极区域的p型氮化镓层和量子阱有源层,露出n电极区域的n型氮化镓层;利用碱性溶液腐蚀部分n电极区域的n型氮化镓层;分别在p型氮化镓层和n型氮化镓层远离衬底的一侧形成p电极和n电极。本发明实施例的技术方案,可以有效降低ICP刻蚀后n型氮化镓层形貌的粗糙度,提高n电极蒸镀金属与n面的接触性,降低器件的工作电压,同时可去除IC