含有稀土的SiC基板和SiC外延层的制造方法.pdf
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含有稀土的SiC基板和SiC外延层的制造方法.pdf
SiC复合基板(10)具备SiC单晶层(20)和含有稀土的SiC层(30)。含有稀土的SiC层(30)含有稀土元素,该稀土元素的浓度在1×10<base:Sup>16</base:Sup>原子/cm<base:Sup>3</base:Sup>以上且1×10<base:Sup>19</base:Sup>原子/cm<base:Sup>3</base:Sup>以下的范围内。由于将稀土元素的浓度设定在该范围内,因此能够充分地降低在含有稀土的SiC层(30)上生长的SiC外延层的BPD密度。
SiC外延晶片和SiC外延晶片的制造方法.pdf
本发明的目的在于得到能够测定外延层总厚度和漂移层厚度的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板上的外延层,所述外延层从所述SiC基板侧依次具有第1层、第2层和第3层,所述SiC基板的氮浓度为6.0×10<base:Sup>18</base:Sup>cm<base:Sup>?3</base:Sup>以上且1.5×10<base:Sup>19</base:Sup>cm<base:Sup>?3</base:Sup>以下,所述第1层的氮浓度为1.0×10<base:Sup>
SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法.pdf
本发明涉及SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法。该SiC化学气相沉积装置具有在内部构成沉积空间的炉体和位于上述沉积空间的下部且在载置面上载置SiC晶片的载置台,上述炉体在与上述载置台大致正交的上下方向上被分离为多个部件,上述多个部件具有第一部分和第二部分,上述第一部分具有向外周方向突出的突出部,上述第二部分具有供上述突出部钩挂的钩部,上述第一部分与上述第二部分通过上述钩部钩挂于上述突出部而连结。
SiC衬底的制造方法及其制造装置和减少SiC衬底的加工变质层的方法.pdf
本发明解决的问题是提供一种减少了加工变质层的SiC衬底的制造方法及其制造装置。此外,本发明解决的问题是提供一种去除了加工变质层的SiC衬底的制造方法及其制造装置。本发明的特征在于包括:主体容器(20),能够收纳SiC衬底(10),并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压;以及加热炉(30),收纳所述主体容器(20),并且加热所述主体容器(20),使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压并且形成温度梯度,其中,所述主体容器(20)具有蚀刻空间(S1),所述蚀
SiC衬底同质外延碳硅双原子层薄膜的方法.pdf
本发明涉及一种SiC衬底同质外延碳硅双原子层薄膜的方法,其特征在于,方法包括:将加工SiC衬底放置到外延炉中,并将外延炉抽取真空;通入氢气保持气压为100mbar并对外延炉加热,开始对加工SiC衬底开始原位刻蚀;温度保持在1600度,通入SiH4量为3ml/min,C3H8量为1.1ml/min;载气氢气量为4500ml/min,加工SiC衬底在刻蚀图形内角处进行悬臂生长生成SiC外延片,生长出的悬臂为无缺陷的碳硅双原子层结构。本发明SiC衬底同质外延碳硅双原子层薄膜实现了在正轴碳化硅衬底最顶端的刻蚀台面