SiC衬底的制造方法及其制造装置和减少SiC衬底的加工变质层的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114174566A(43)申请公布日2022.03.11(21)申请号202080018852.7(74)专利代理机构北京商专永信知识产权代理(22)申请日2020.03.03事务所(普通合伙)11400代理人方挺侯晓艳(30)优先权数据2019-0400712019.03.05JP(51)Int.Cl.C30B29/36(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日C30B33/12(2006.01)2021.09.03(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2020/0089652020.03.03(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/179794JA2020.09.10(71)申请人学校法人关西学院地址日本国兵库县申请人丰田通商株式会社(72)发明人金子忠昭吉田奈都纪青木一史权利要求书2页说明书10页附图4页(54)发明名称SiC衬底的制造方法及其制造装置和减少SiC衬底的加工变质层的方法(57)摘要本发明解决的问题是提供一种减少了加工变质层的SiC衬底的制造方法及其制造装置。此外，本发明解决的问题是提供一种去除了加工变质层的SiC衬底的制造方法及其制造装置。本发明的特征在于包括：主体容器(20)，能够收纳SiC衬底(10)，并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压；以及加热炉(30)，收纳所述主体容器(20)，并且加热所述主体容器(20)，使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压并且形成温度梯度，其中，所述主体容器(20)具有蚀刻空间(S1)，所述蚀刻空间(S1)是在将所述SiC衬底配置在所述温度梯度的高温侧的状态下，使配置在所述温度梯度的低温侧的所述主体容器(20)的一部分和所述SiC衬底(10)相对而形成的。CN114174566ACN114174566A权利要求书1/2页1.一种SiC衬底的制造装置，其包括：主体容器，能够收纳SiC衬底，并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压；以及加热炉，收纳所述主体容器，并加热所述主体容器使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压并形成温度梯度；其中，所述主体容器具有蚀刻空间，所述蚀刻空间是在将所述SiC衬底配置在所述温度梯度的高温侧的状态下，使配置在所述温度梯度的低温侧的所述主体容器的一部分和所述SiC衬底相对而形成的。2.根据权利要求1所述的SiC衬底的制造装置，其中，所述主体容器具有衬底保持用具，所述衬底保持用具设置在所述SiC衬底和所述主体容器之间。3.根据权利要求1或2所述的SiC衬底的制造装置，其中，所述主体容器由包含多晶SiC的材料构成。4.根据权利要求1至3中任一项所述的SiC衬底的制造装置，其中，所述加热炉具有：高熔点容器，能够收纳所述主体容器；和Si蒸气供给源，能够将Si蒸气供给到该高熔点容器内。5.根据权利要求4所述的SiC衬底的制造装置，其中，所述高熔点容器由包含钽的材料构成，所述Si蒸气供给源为硅化钽。6.一种SiC衬底的制造方法，包括：蚀刻步骤，在用于在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压的主体容器的内部收纳SiC衬底，并且，加热所述主体容器，使得在包含Si元素的气相物种的蒸气压的环境下形成温度梯度，从而蚀刻所述SiC衬底。7.根据权利要求6所述的SiC衬底的制造方法，其中，所述蚀刻步骤具有：Si原子升华步骤，使Si原子从SiC衬底的表面热升华；和C原子升华步骤，通过使残留在SiC衬底的表面处的C原子和所述主体容器内的Si蒸气反应来使C原子从SiC衬底的表面升华。8.根据权利要求6或权利要求7所述的SiC衬底的制造方法，其中，在所述蚀刻步骤中，使配置在所述温度梯度的高温侧的所述SiC衬底和配置在所述温度梯度的低温侧的所述主体容器的一部分相对来进行蚀刻。9.一种用于减少SiC衬底的加工变质层的方法，包括：蚀刻步骤，在包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压的环境下蚀刻SiC衬底，其中，在所述蚀刻步骤中，对在温度梯度的高温侧配置有所述SiC衬底的蚀刻空间进行加热。10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述蚀刻步骤中，在通过包含Si元素的气相物种的蒸气压的环境被排气的蚀刻空间内配置所述SiC衬底来进行蚀刻。11.根据权利要求9或权利要求10所述的方法，其中，在所述蚀刻步骤中，使配置在所述温度梯度的高温侧的所述SiC衬底和配置在所述温度梯度的低温侧的所述主体容器的一部分相对来进行蚀刻。12.一种SiC衬底的制造方法，包括：蚀刻步骤，在包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压的环境下蚀刻SiC衬底，2CN11