一种碳化硅复合基板及其制备方法.pdf
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一种碳化硅复合基板及其制备方法.pdf
本发明提供一种碳化硅复合基板及其制备方法,所述碳化硅复合基板包括单晶碳化硅层以及碳化硅支撑层,所述单晶碳化硅层与所述碳化硅支撑层之间设置有至少1层金属硅化物层,所述单晶碳化硅层与相邻的金属硅化物层之间设置有第一界面层,所述碳化硅支撑层与相邻的金属硅化物层之间设置第二界面层,所述金属硅化物层的电阻率低于100μΩ·cm。所述碳化硅复合基板有效降低了碳化硅支撑层和单晶碳化硅薄层之间的界面电阻,降低了碳化硅复合基板的制造成本,提高了碳化硅复合基板的应用潜力。
一种复合碳化硅衬底及其制备方法.pdf
本发明提供一种复合碳化硅衬底及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:(1)碳化硅单晶衬底的第一表面与石墨板粘接,激光照射碳化硅单晶衬底的第二表面,在碳化硅单晶衬底内部形成改质面;施加外力,将碳化硅单晶衬底沿着改质面断开,得到碳化硅单晶衬底与石墨板组成的复合晶体层结构;(2)在所述复合晶体层结构中的碳化硅单晶衬底的改质面上生长晶体层后,分离石墨板,得到碳化硅单晶衬底与晶体层组成的复合碳化硅衬底。本发明所述制备方法先以石墨板为支撑层,通过激光切割得到较薄的高质量碳化硅单晶衬底,之后在该碳化硅单晶衬底上生长一层
一种基于超导基板的复合覆铜板及其制备方法.pdf
本发明涉及一种基于超导基板的复合覆铜板及其制备方法,包括如下步骤:(1)挤出基板;(2)在基板平面上涂覆有机硅耐高温导热固化粘结剂;(3)位于基板上方由支架固定铜箔加温至270℃;(4)在步骤(2)的基板上紧密贴合铜箔;(5)然后用第四组双辊轮紧压冷却成型,得到覆铜板。本发明提供的方法制备得到的覆铜板采用成本较低的尼龙66或PET作为基板,能够长期使用在高于265℃的高温、同时在尼龙66或PET覆铜基板上连接电路焊锡点在230℃-250℃使用不变形、具有高绝缘安全可靠及高导热与高散热的性能,本所述方法工艺
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本发明涉及导热基板技术领域,具体涉及一种银镍复合线路基板及其制备方法;一种银镍复合线路基板的制备方法,包括如下步骤:1)银浆线路导电层的制备:将银浆经由丝网印刷到绝缘导热基板上,再将基板使用高温烧结炉进行高温烧结,烧结温度为500‑900度;2)镍浆线路层焊盘的制备:将镍浆经由丝网印刷到经步骤1)制备的绝缘导热基板上,再将基板使用高温烧结炉进行高温烧结,烧结温度在500‑1100度,烧结后为带有氧化镍线路层的导热基板,将氧化镍线路层浸泡在盛装有氨水的容器内进行还原一定时间,使氧化镍线路层还原成纯镍线路层,
一种碳化硅复合材料及其制备方法.pdf
本发明公开了一种碳化硅复合材料及其制备方法,由碳化硅作为主原料,所述制备方法包括:依次加入水、铝粉和镁粉在搅拌机内进行混合,然后加入粘结剂继续搅拌、混合;装入模具中冷压成型,施加的压强为10‑25MPa,冷压时间为20min;卸压脱模,将压制好的试样放在烘干箱中以40‑90摄氏度的温度进行烘干;本发明将压制好的不同碳化硅质量的样品分为五组,放入真空热压炉内在不同的温度点进行高温烧结,可以得出五组相应的数据,从而便于使用者对碳化硅的烧结状态进行观察和记录,方便后续改进,通过将碳化硅成品浸泡于耐高温涂料中,可