一种复合碳化硅衬底及其制备方法.pdf
曦晨****22
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一种复合碳化硅衬底及其制备方法.pdf
本发明提供一种复合碳化硅衬底及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:(1)碳化硅单晶衬底的第一表面与石墨板粘接,激光照射碳化硅单晶衬底的第二表面,在碳化硅单晶衬底内部形成改质面;施加外力,将碳化硅单晶衬底沿着改质面断开,得到碳化硅单晶衬底与石墨板组成的复合晶体层结构;(2)在所述复合晶体层结构中的碳化硅单晶衬底的改质面上生长晶体层后,分离石墨板,得到碳化硅单晶衬底与晶体层组成的复合碳化硅衬底。本发明所述制备方法先以石墨板为支撑层,通过激光切割得到较薄的高质量碳化硅单晶衬底,之后在该碳化硅单晶衬底上生长一层
一种复合压电衬底及其制备方法.pdf
本申请提供一种复合压电衬底及其制备方法,包括:交替循环向所述反应炉内通入第一反应气氛和第二反应气氛,直至制备得到目标复合压电衬底,所述目标复合压电衬底包括在所述硅片内、由所述硅片外表面向内依次形成的交替堆叠的第一衬底层和第二衬底层,当向所述反应炉内通入所述含氧气氛时,所述反应炉内的氧化温度为850‑1200℃,当向所述反应炉内通入所述含氮气氛时,所述反应炉内的氮化温度为1100‑1400℃。本申请实施例在制备过程中,反应炉内可以放置几十至几百片硅片,也就是说,每个反应炉每次可以制备几十至几百片复合压电衬底
一种大尺寸碳化硅衬底加工用复合结合剂砂轮及其制备方法.pdf
本发明公开一种大尺寸碳化硅衬底加工用复合结合剂砂轮及其制备方法,尤其涉及碳化硅半导体材料加工用复合结合剂超硬材料砂轮配方及制备方法。配方主要有以下组成,金刚石磨料25‑45%、预合金粉25‑40%、聚苯硫醚8~20%、氧化锌晶须10~18%、SG磨料8‑22%。本发明制备采用聚苯硫醚和锌铜合金粉作为复合结合剂体系,该结合剂体系对磨料把持力强,抵抗大尺寸碳化硅的高磨削阻力,磨削力强。铁铝等细化了合金体系的晶粒组织,并且增加脆性,提高砂轮磨削锋利性。同时晶须等的利用可以增加砂轮层微观组织的各项同性,获得较好的
一种碳化硅衬底倒角用砂轮及其制备方法.pdf
本发明属于碳化硅衬底加工技术领域,具体涉及一种用于2英寸及以上规格碳化硅衬底的倒角用砂轮及其制备方法。所述碳化硅衬底倒角用砂轮,包括基体和磨料层,所述磨料层包括以下重量份的原料:磨料20‑30份,金属结合剂56‑95份,添加剂1‑7份;所述添加剂是氯化钠、氯化钾、碳酸钠、碳酸钾中的一种或几种任意比例混合物。本发明的砂轮配方、加工工艺简单,操作简便;可对2英寸及以上尺寸的碳化硅衬底进行倒角加工,加工效果好,工件在高亮白光下目测无锯齿和崩口现象。
一种GaAs/Si复合衬底的制备方法及其复合衬底和太阳能电池.pdf
本发明属于太阳能电池领域,具体涉及一种GaAs/Si复合衬底结构的制备方法及其复合衬底和太阳能电池,对GaAs衬底的一个表面进行处理,使其形成多个锯齿,并在锯齿的表面蒸镀金属催化剂层;在刻蚀溶液中,将所述GaAs衬底带有锯齿的一面压印到硅衬底的表面,压印刻蚀至所述金属催化剂层反应去除且硅衬底的表面形成与所述GaAs衬底上的锯齿相契合的形状。本发明的锯齿的纵向剖面为三角形,在压印的过程,锯齿状有利于切入下部衬底,且印刷和刻蚀同时进行,金属催化剂随反应的进行去除,金属不会留在衬底中,所形成的复合衬底中的上下锯