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一种超高纯钼靶坯及其制备方法.pdf
2023-05-09
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一吃****继勇
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本发明属于超纯金属靶坯制备技术领域,具体涉及一种超高纯钼靶坯及其制备方法。所述制备方法包括:采用低压化学气相沉积的方法沉积钼,反应气体为MoF<base:Sub>6</base:Sub>和氢气,所述MoF<base:Sub>6</base:Sub>和氢气的体积比为1:2.5~1:20,沉积温度为700~1200℃,压力为1?50kPa。本发明采用低压化学气相沉积,在远低于钼熔点的温度条件下获得高致密度且纯度6N以上的超高纯钼靶坯,可避免常压生长钼致密度低问题,并且设备简单,自动化程度高,从而大幅度降低生产
2023-05-09
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2023-06-17
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一种钒钼合金靶材及其制备方法.pdf
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本发明公开了一种制备钼靶的方法，该方法为：一、将钼粉压制成钼坯料，置于高温炉内进行预烧结得到预烧结坯；二、将预烧结坯置于高温炉内进行烧结，得到高纯钼金属坯；三、将高纯钼金属坯送入马弗炉中加热，然后对加热后的高纯钼金属坯进行压力加工，得到钼板；四、将钼板加热，冷却后进行机械加工；五、将经机械加工后的钼板清洗干净，与金属背板绑定，得到钼靶。本发明采用在低压力下进行预烧结，能够降低杂质熔点，创造杂质挥发条件，有利于去除材料中的气体元素和低熔点杂质，尤其是降低了材料中的C、O、Si、Cr、Ca、K、Mg、Ti、N
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