一种靶材用高纯钼板的制备方法.pdf
秋花****姐姐
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一种靶材用高纯钼板的制备方法.pdf
一种靶材用高纯钼板的制备方法,使用溅射法生产的纯度为99.9%以上的钼合金为原料,采用电子束冷床炉熔炼获得高纯钼毛坯(纯度在99.98%以上),对钼毛坯铣面并精修磨后对钼方坯切头,再切成锻造毛坯所要求的尺寸,对锻造毛坯探伤,将合格的锻造毛坯加热至980~1020℃,采用三镦三拔对锻造毛坯进行锻造,在终拔时将锻件模锻成所需规格棒材,并对锻件退火后车除棒材表面氧化皮,去除两头的锻帽后再锯切成所需规格的小柱块;车光小柱块的两锯切端面,对底部内车铣,预留出边缘,对预留边缘倒角,再对另一端部开丝,进一步清理后得到圆
高纯钽靶材制备方法.pdf
本发明提供的高纯钽靶材制备方法,包括:将钽粉混合均匀;将混合好的钽粉装入模具;冷压成型;真空热压烧结。与传统的通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钽锭、然后对钽锭反复进行塑性变形和退火制得钽靶坯的工艺相比,本发明通过粉末冶金的真空热压烧结技术直接由粉末制得钽靶坯,消除钽的“固有织构带”,获得内部织构均匀的可用于半导体靶材制造用的钽靶坯。
高纯钴靶材的制备方法.pdf
本发明提供的高纯钴靶材的制备方法,包括:将钴粉装入模具;冷压成型;真空热压烧结。与传统的通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钴锭、然后对钴锭反复进行塑性变形和退火制得钴靶坯的工艺相比,本发明通过粉末冶金的真空热压烧结技术直接由粉末制得钴靶坯,获得致密且分布均匀的可用于半导体靶材制造用的钴靶坯,克服了钴靶材由于质地坚硬易碎,而在塑性变形加工过程中容易产生裂纹而导致报废率高的问题。
一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法.pdf
本发明公开了一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法,具体按照如下步骤实施:步骤1,将钼酸铵进行焙解处理,得到高纯三氧化钼;步骤2,将步骤1得到的高纯三氧化钼粉末装入模具内,进行气氛保护热压处理,得到高致密度三氧化钼坯料;步骤3,将步骤2得到的高致密度三氧化钼坯料在空气氛马弗炉内进行二次补氧;步骤4,将经过二次补氧处理的坯料进行机械加工和清洗,最终得到高纯三氧化钼靶材。本发明一种高纯、高致密度三氧化钼靶材的制备方法,能获得高纯度以及高致密度的三氧化钼靶材。
一种高纯铜靶材的制备方法.pdf
本发明公开了属于溅射靶材技术领域的一种高纯铜溅射靶材的制备方法。该方法主要包括:高纯铜靶材坯料在高温下进行镦粗拔长的塑性变形。经过多轮次的镦粗拔长变形后,将靶材坯料冷却。对冷却后的高纯铜靶材坯料进行压延变形制备成高纯铜靶坯。然后对靶坯进行热处理,得到组织细小均匀的高纯铜靶材。本发明的优点在于:采用塑性变形与热处理相结合的方法制备高纯铜靶材,该方法制备的靶材晶粒细小,分布均匀,完全满足溅射的需求。同时通过采用可控性的塑性加工设备使得加工工艺的一致性、重复性得到保证。该方法工艺简单,设备操作灵活,生产效率高,