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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103132033A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103132033103132033A(43)申请公布日2013.06.05(21)申请号201310098029.3(22)申请日2013.03.26(71)申请人金堆城钼业股份有限公司地址710077陕西省西安市高新区锦业一路88号(72)发明人王林朱琦杨秦莉王娜(74)专利代理机构西安创知专利事务所61213代理人谭文琰(51)Int.Cl.C23C14/34(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书6页说明书6页(54)发明名称一种制备钼靶的方法(57)摘要本发明公开了一种制备钼靶的方法,该方法为:一、将钼粉压制成钼坯料,置于高温炉内进行预烧结得到预烧结坯;二、将预烧结坯置于高温炉内进行烧结,得到高纯钼金属坯;三、将高纯钼金属坯送入马弗炉中加热,然后对加热后的高纯钼金属坯进行压力加工,得到钼板;四、将钼板加热,冷却后进行机械加工;五、将经机械加工后的钼板清洗干净,与金属背板绑定,得到钼靶。本发明采用在低压力下进行预烧结,能够降低杂质熔点,创造杂质挥发条件,有利于去除材料中的气体元素和低熔点杂质,尤其是降低了材料中的C、O、Si、Cr、Ca、K、Mg、Ti、Ni等杂质元素含量,显著提高了制成品的纯度,保证了钼溅射靶材的纯度和产品质量。CN103132033ACN1032ACN103132033A权利要求书1/1页1.一种制备钼靶的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、将钼粉压制成钼坯料,然后将钼坯料置于高温炉内,在炉内压力不大于1×10-1Pa的条件下进行预烧结,随炉冷却后得到预烧结坯;所述预烧结的过程为:将高温炉升温至800℃~1100℃后保温0.5h~20h,然后继续升温至1100℃~1500℃后保温0.5h~20h,再继续升温至1500℃~2000℃后保温0.5h~20h,所述升温的速率为1℃/秒~20℃/秒;步骤二、将步骤一中所述预烧结坯置于高温炉内,在真空条件下或气氛保护条件下进行烧结,得到质量纯度不小于99.97%的高纯钼金属坯;所述烧结的过程为:将高温炉升温至1600℃~2300℃后保温0.5h~20h,所述升温的速率为1℃/秒~20℃/秒;步骤三、将步骤二中所述高纯钼金属坯送入温度为900℃~1500℃的马弗炉中,在氢气气氛保护下加热30min~120min,然后对加热后的高纯钼金属坯进行压力加工,得到钼板;步骤四、将步骤三中所述钼板加热至800℃~1300℃后保温热处理30min~240min,冷却后进行机械加工;步骤五、将步骤四中经机械加工后的钼板清洗干净,然后采用金属铟或含有金属铟的混合物作为粘接剂将清洗干净的钼板与金属背板绑定,得到钼靶。2.根据权利要求1所述的一种制备钼靶的方法,其特征在于,步骤一中所述预烧结的最高温度不高于步骤二中所述烧结的温度。3.根据权利要求1所述的一种制备钼靶的方法,其特征在于,步骤二中所述气氛保护的气体为氢气和/或惰性气体。4.根据权利要求1所述的一种制备钼靶的方法,其特征在于,步骤二中所述气氛保护的气体的露点不高于0℃。5.根据权利要求1所述的一种制备钼靶的方法,其特征在于,步骤二中所述高纯钼金属坯的密度不小于9.5g/cm3。6.根据权利要求1所述的一种制备钼靶的方法,其特征在于,步骤二中所述高纯钼金属坯中O的质量含量不高于30ppm,C的质量含量不高于20ppm;步骤二中所述高纯钼金属坯中熔点不高于2000℃的杂质元素的质量含量均不高于20ppm。7.根据权利要求1所述的一种制备钼靶的方法,其特征在于,步骤四中所述热处理在真空条件或气氛保护下进行。8.根据权利要求7所述的一种制备钼靶的方法,其特征在于,所述气氛为氢气和/或惰性气体。9.根据权利要求1所述的一种制备钼靶的方法,其特征在于,步骤五中所述含有金属铟的混合物为铟的质量含量不小于50%的混合物。10.根据权利要求1所述的一种制备钼靶的方法,其特征在于,步骤五中所述金属背板为铜背板或不锈钢背板。2CN103132033A说明书1/6页一种制备钼靶的方法技术领域[0001]本发明属于钼溅射靶材制备技术领域,具体涉及一种制备钼靶的方法。背景技术[0002]在电子、太阳能行业,钼金属通过磁控溅射的方法被溅射到金属或非金属表面,用作电极。[0003]如在平板型显示设备制造行业,显示是利用两块被真空隔离的玻璃薄片实现。置于背面的玻璃被作为显示器的阴极,在这片玻璃上以场发射极阵列的形式分布着数亿个发射极尖端,这种发射极尖端就是由钼制造,显示的像素远高于传统的电视屏幕。平板显示工艺用磁控溅射的方式将钼沉积在发射极尖端上,这项技术对未来发展大屏幕、高清晰度平板显示器具有重大意义。[