一种五氧化二钽纳米管阵列薄膜的制备方法.pdf
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一种五氧化二钽纳米管阵列薄膜的制备方法.pdf
本发明公开了一种五氧化二钽纳米管阵列薄膜的制备方法,所述制备方法为恒流阳极氧化方法,电解液组成为氟化铵(NH<base:Sub>4</base:Sub>F)、硫酸(H<base:Sub>2</base:Sub>SO<base:Sub>4</base:Sub>)、水(H<base:Sub>2</base:Sub>O),阳极氧化温度为15?50℃,氧化电流为50?200mA/cm<base:Sup>2</base:Sup>,时间1?5分钟。采用此法制备的Ta<base:Sub>2</base:Sub>O<ba
一种二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法.pdf
本发明涉及一种二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法。其技术方案是:先将含钛金属片打磨和抛光作为阳极置入电解液中,在控制电压为10~60V条件下阳极氧化0.5~5小时;再将阳极化后的含钛金属片从电解液中取出,置于高温炉中,在300~800℃条件下于保护气氛中保温0.5~10小时;然后在保护气氛中随炉冷却到室温,在冷却后的含钛金属片表面生成碳掺杂或碳-氮共掺杂的二氧化钛纳米管阵列薄膜。本发明具有无需外来碳源或氮源、反应温度低、方法简单可靠、掺杂元素含量可控的特点;所制备的碳掺杂的二氧化钛纳米管阵列薄膜、或碳-氮
一种钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法.pdf
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一种六方相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法.pdf
本发明公开了一种六方相五氧化二钽单晶薄膜的制备方法,属于光电子信息功能材料技术领域。用乙醇钽作为有机金属化合物材料,以高纯氧气作为氧化气体,采用金属有机物化学气相沉积设备在六方结构的氟化镧单晶衬底上制备出无孪晶的六方相五氧化二钽单晶薄膜。本发明所制备的六方相五氧化二钽单晶薄膜材料具有单晶质量高、稳定性好,因此在半导体器件领域具有良好的应用前景。
一种磷化氧化钽纳米管及其制备方法.pdf
本发明公开一种磷化氧化钽纳米管及其制备方法,属于半导体纳米材料制备技术领域。该方法是先通过阳极氧化钽片制备氧化钽纳米管,然后通过等离子束刻蚀的方法得到表面均匀的氧化钽纳米管,最后在管式炉中通过高温分解次亚磷酸钠进行磷处理或直接用PH