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本发明公开了一种五氧化二钽纳米管阵列薄膜的制备方法,所述制备方法为恒流阳极氧化方法,电解液组成为氟化铵(NH4F)、硫酸(H2SO4)、水(H2O),阳极氧化温度为15?50℃,氧化电流为50?200mA/cm2,时间1?5分钟。采用此法制备的Ta2O5纳米管阵列薄膜生长效率高,纳米管直径在60?150nm,长度在2?20μm,薄膜表面完整无裂痕缺陷,顶端开口良好,并可自由转移。