具有电磁屏蔽功能的多芯片三维堆叠结构及其制备方法.pdf
猫巷****觅蓉
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具有电磁屏蔽功能的多芯片三维堆叠结构及其制备方法.pdf
本发明公开了一种具有电磁屏蔽功能的多芯片三维堆叠结构,包括交替堆叠的N个布线层和N?1个包封层,每个所述布线层中设有金属平面,每个所述包封层中设有芯片以及围绕所述芯片的金属侧壁,每个所述包封层中的金属侧壁与相邻两个布线层中的金属平面封闭连接以封闭所述包封层中的芯片。本发明还公开了一种具有电磁屏蔽功能的多芯片三维堆叠结构的制备方法。本发明解决了三维堆叠结构中芯片的电磁干扰问题和信号串扰问题,还提升了三维堆叠结构的散热效果。
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本发明提供了一种具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法,涉及半导体器件制造领域。包括在半导体衬底中形成沟槽,在沟槽内形成独立成段的分离栅多晶硅层,在分离栅多晶硅层上淀积并刻蚀金属层,使分离栅多晶硅层与金属层相连接、组成热敏电阻结构;也就是说,可以在沟槽内部形成独立成段的分离栅多晶硅层,并能够将其作为IGBT芯片的内置温度传感器。因此,本发明解决了现有在IGBT芯片上集成温度传感器的方案中所存在的准确性低和灵敏度差的问题;同时,可以在一定程度上降低IGBT芯片中的米勒电容,从而能够有效提高芯片的性能、保证
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一种晶圆级芯片结构、多芯片堆叠互连结构及制备方法.pdf
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