具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法.pdf
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具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法.pdf
本发明提供了一种具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法,涉及半导体器件制造领域。包括在半导体衬底中形成沟槽,在沟槽内形成独立成段的分离栅多晶硅层,在分离栅多晶硅层上淀积并刻蚀金属层,使分离栅多晶硅层与金属层相连接、组成热敏电阻结构;也就是说,可以在沟槽内部形成独立成段的分离栅多晶硅层,并能够将其作为IGBT芯片的内置温度传感器。因此,本发明解决了现有在IGBT芯片上集成温度传感器的方案中所存在的准确性低和灵敏度差的问题;同时,可以在一定程度上降低IGBT芯片中的米勒电容,从而能够有效提高芯片的性能、保证
具有复合栅的IGBT芯片.pdf
本发明公开了一种具有复合栅的IGBT芯片,包括晶圆基片以及形成在晶圆基片上的若干个依次排列的元胞,元胞包括两个轴对称的复合栅单元;复合栅单元包括设置于晶圆基片上的源极区和栅极区,栅极区包括设置于源极区两侧的平面栅极区和沟槽栅极区;沟槽栅极区包括沟槽栅和辅助子区。本发明提供的具有复合栅的IGBT芯片,通过将平面栅极和沟槽栅极复合于同一元胞,从而大幅度提升芯片密度并保留沟槽栅低通耗,高电流密度和平面栅宽安全工作区的特性。
具有电磁屏蔽功能的多芯片三维堆叠结构及其制备方法.pdf
本发明公开了一种具有电磁屏蔽功能的多芯片三维堆叠结构,包括交替堆叠的N个布线层和N?1个包封层,每个所述布线层中设有金属平面,每个所述包封层中设有芯片以及围绕所述芯片的金属侧壁,每个所述包封层中的金属侧壁与相邻两个布线层中的金属平面封闭连接以封闭所述包封层中的芯片。本发明还公开了一种具有电磁屏蔽功能的多芯片三维堆叠结构的制备方法。本发明解决了三维堆叠结构中芯片的电磁干扰问题和信号串扰问题,还提升了三维堆叠结构的散热效果。
一种具有复合栅结构的IGBT芯片及其加工工艺与加工设备.pdf
本发明公开一种具有复合栅结构的IGBT芯片及其加工工艺与加工设备,涉及半导体器件领域。该IGBT芯片由若干个六角形的元胞组成,元胞呈蜂窝状分布在晶圆基片上,每个元胞均包括复合栅结构,复合栅结构包括栅极区、位于栅极区两侧的沟槽栅有源区和平面栅有源区;加工工艺包括沉积形成氧化层、刻蚀形成沟槽、注入N型杂质形成N阱区、注入P型杂质形成P阱区、填充多晶硅、刻蚀形成平面栅极与沟槽栅极、刻蚀形成钝化层、注入N型杂质与P型杂质得到P阱区、沉积得到金属层。加工设备用于IGBT芯片原料晶圆基片的限位放置与刻蚀。本发明的IG
一种集成门极米勒钳位功能的IGBT芯片及其制备方法.pdf
本发明提供了一种集成门极米勒钳位功能的IGBT芯片及其制备方法,该IGBT芯片包括:IGBT器件的元胞区和终端区以及门极米勒钳位模块,门极米勒钳位模块位于IGBT芯片的培区内,包括晶体管T、二极管D、电阻RB和电阻RE,二极管D的阴极与晶体管T的源极以及IGBT器件的门极相连,晶体管T的漏极与IGBT器件的源极相连;电阻RB的一端与晶体管T的门极相连,另一端与二极管D的阳极相连;电阻RE的一端与外驱动电路的参考地相连,另一端与电阻RB相连。门极米勒钳位模块能够提供一个到外驱动电路参考地的低阻抗回路,能够抑