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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115985771A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202310272160.0(22)申请日2023.03.21(71)申请人淄博美林电子有限公司地址255000山东省淄博市张店区张柳路6号(72)发明人翟露青马青翠(74)专利代理机构淄博川诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙)37275专利代理师高鹏飞(51)Int.Cl.H01L21/28(2006.01)H01C7/00(2006.01)G01K7/22(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法(57)摘要本发明提供了一种具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法,涉及半导体器件制造领域。包括在半导体衬底中形成沟槽,在沟槽内形成独立成段的分离栅多晶硅层,在分离栅多晶硅层上淀积并刻蚀金属层,使分离栅多晶硅层与金属层相连接、组成热敏电阻结构;也就是说,可以在沟槽内部形成独立成段的分离栅多晶硅层,并能够将其作为IGBT芯片的内置温度传感器。因此,本发明解决了现有在IGBT芯片上集成温度传感器的方案中所存在的准确性低和灵敏度差的问题;同时,可以在一定程度上降低IGBT芯片中的米勒电容,从而能够有效提高芯片的性能、保证芯片的正常工作。CN115985771ACN115985771A权利要求书1/1页1.一种具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法,其特征在于:在半导体衬底(1)中形成沟槽(2),在沟槽(2)内形成独立成段的分离栅多晶硅层(5),在分离栅多晶硅层(5)上淀积并刻蚀金属层(6),使分离栅多晶硅层(5)与金属层(6)相连接。2.根据权利要求1所述的具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法,其特征在于:包括步骤1,在半导体衬底(1)中形成沟槽(2),在沟槽(2)内和半导体衬底(1)的上表面形成第一氧化层(3),在沟槽(2)内和第一氧化层(3)的上表面淀积第一多晶硅层(4)。3.根据权利要求2所述的具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法,其特征在于:在所述步骤1的基础上执行步骤2,定义出第一多晶硅层(4)的图形,刻蚀第一多晶硅层(4)、使得第一氧化层(3)漏出,在沟槽(2)内对第一多晶硅层(4)进行保留、以形成分离栅多晶硅层(5)。4.根据权利要求3所述的具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法,其特征在于:在所述步骤2的基础上执行步骤3,将金属层(6)淀积到沟槽(2)内和第一氧化层(3)的上表面。5.根据权利要求4所述的具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法,其特征在于:在所述步骤3的基础上执行步骤4,定义出金属层(6)的图形,刻蚀金属层(6)、使得金属层(6)底部与分离栅多晶硅层(5)相接触。6.根据权利要求5所述的具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法,其特征在于:在所述步骤4的基础上执行步骤5,在沟槽(2)内和第一氧化层(3)的上表面形成第二氧化层(7),在沟槽(2)内和第二氧化层(7)的上表面淀积第二多晶硅层(8)。7.根据权利要求6所述的具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法,其特征在于:在所述步骤5的基础上执行步骤6,刻蚀第二多晶硅层(8)、并将其回刻至与第二氧化层(7)上表面齐平,以形成多晶硅栅极(9)。8.根据权利要求2所述的具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法,其特征在于:所述第一氧化层(3)的材质为二氧化硅,通过热氧化工艺或者化学气相沉积工艺形成。9.根据权利要求3所述的具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法,其特征在于:所述步骤2中,利用光刻胶定义出所述第一多晶硅层(4)的图形,采用各向异性干法刻蚀工艺刻蚀所述第一多晶硅层(4)。10.根据权利要求5所述的具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法,其特征在于:所述步骤4中,利用光刻胶定义出所述金属层(6)的图形,采用两次斜向定向刻蚀工艺刻蚀所述金属层(6)。2CN115985771A说明书1/4页具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法技术领域[0001]本发明涉及半导体器件制造领域,具体涉及一种具有复合功能的IGBT芯片结构的制备方法。背景技术[0002]绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)是由金属氧化物半导体场效应晶体管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)和双极结型晶体管(BipolarJunctionTransistor,BJT)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,集MOSFET的栅极电压驱动简单和BJT的低导通电阻两方面的优点于一身;IGBT凭借着其阻断电压高、电流容量大、驱动功率小等优势,已经被广泛应用于