无氰电镀金浴及其应用、半导体镀金件及其制备方法.pdf

本发明涉及电镀金领域,公开了无氰电镀金浴及其应用、半导体镀金件及其制备方法,无氰电镀金浴包括亚硫酸金盐、导电盐、有机膦酸、硫脲化合物、缓冲盐和溶剂,以所述无氰电镀金浴总量计,所述亚硫酸金盐以金元素计的含量为1?20g/L,所述导电盐的含量为10?120g/L,所述有机膦酸的含量为1?50g/L,所述硫脲化合物的含量为1?30mg/L,所述缓冲盐的含量为1?30g/L。本发明中提供的无氰电镀金浴,不含剧毒金属离子,环保性能和安全性能好,可制备出热处理后硬度较低的电镀金,使得到的电镀金可满足半导体制造业对焊接性能的要求。