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本申请涉及半导体技术领域,提供了一种多通道HEMT器件及其制备方法、电子设备,该多通道HEMT器件包括:衬底和叠层设置在所述衬底上的成核层、缓冲层、基材层以及、复合沟道层和至少两个栅电极层;所述缓冲层、基材层、复合沟道层依次叠层设置在所述衬底上;所述复合沟道层包括至少两层二维电子气沟道层;每一所述二维电子气沟道层电性连接至少一所述栅电极层。本申请通过设置上下两层栅电极层,使得栅极电位控制更加均衡,并且栅极控制响应快,便于快速控制复合沟道层内2DEG的通断,同时通过设置多层二维电子气沟道层,有利于形成多通道导电,使得整个器件能够实现更大电流和更高击穿电压,进而提升整个器件的工作性能。