多通道HEMT器件及其制备方法、电子设备.pdf
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多通道HEMT器件及其制备方法、电子设备.pdf
本申请涉及半导体技术领域,提供了一种多通道HEMT器件及其制备方法、电子设备,该多通道HEMT器件包括:衬底和叠层设置在所述衬底上的成核层、缓冲层、基材层以及、复合沟道层和至少两个栅电极层;所述缓冲层、基材层、复合沟道层依次叠层设置在所述衬底上;所述复合沟道层包括至少两层二维电子气沟道层;每一所述二维电子气沟道层电性连接至少一所述栅电极层。本申请通过设置上下两层栅电极层,使得栅极电位控制更加均衡,并且栅极控制响应快,便于快速控制复合沟道层内2DEG的通断,同时通过设置多层二维电子气沟道层,有利于形成多通道
HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件.pdf
本公开提供了一种HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件,属于半导体器件技术领域。所述HEMT外延片包括:Si衬底、依次层叠在所述Si衬底上的复合过渡层、AlGaN缓冲层、AlGaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层与GaN盖帽层,所述复合过渡层包括依次层叠在所述Si衬底上的低温BP成核层、高温BP成核层和预铺Al层,所述低温BP成核层的生长温度低于所述高温BP成核层的生长温度。
GaN基HEMT器件及其制备方法.pdf
本发明提供一种GaN基HEMT器件及其制备方法,在衬底上先形成外延结构及SiN钝化保护层,而后形成源极区及漏极区,及对应的源电极及漏电极,之后去除SiN钝化保护层,并进行表面清洗后,再采用原子层沉积及等离子退火工艺形成单晶AlN势垒层,以调制GaN沟道内二维电子气,同时在AlGaN势垒层内形成区域性薄层附属沟道,以提高器件整体线性度,且在同一沉积腔内采用原子层沉积在单晶AlN势垒层上形成非晶AlN钝化保护层,由于采用连续原位原子层沉积单晶和非晶AlN层,可以提高晶体/非晶AlN的界面质量,以优化器件Pul
一种高线性HEMT器件及其制备方法.pdf
本发明涉及一种高线性HEMT器件及其制备方法,旨在提高HEMT器件的线性度,从结构优化的途径来尽量避免因器件非线性因素所带来的跨导滚降,以及跨导导数变化过大造成跨导尖峰现象等非线性问题。本发明的第一方面提供一种高线性HEMT器件,包括:衬底,以及在所述衬底上由下至上依次堆叠的成核层、缓冲层、势垒层和钝化层;其中,所述钝化层设有栅槽,所述栅槽底部位于所述势垒层中,所述栅槽内设置有栅极;所述栅极的两侧分别设有源极和漏极,源极和漏极均与所述缓冲层欧姆接触;所述栅槽的底部具有以下形状:沿所述栅极的宽度方向,栅槽的
一种GaN基HEMT器件及其制备方法.pdf
本申请公开了一种GaN基HEMT器件及其制备方法,包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、帽层、源极、栅极和漏极,由于该GaN基HEMT器件在制备过程中应用H等离子体处理技术将帽层制备成高阻态,以优化该GaN基HEMT器件的内部电场分布,降低了表面陷阱对器件性能的影响。