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一种GaN基HEMT器件及其制备方法.pdf

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本申请公开了一种GaN基HEMT器件及其制备方法,包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、帽层、源极、栅极和漏极,由于该GaN基HEMT器件在制备过程中应用H等离子体处理技术将帽层制备成高阻态,以优化该GaN基HEMT器件的内部电场分布,降低了表面陷阱对器件性能的影响。