HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115274818A(43)申请公布日2022.11.01(21)申请号202210708221.9H01L29/778(2006.01)(22)申请日2022.06.21H01L21/02(2006.01)C30B25/18(2006.01)(71)申请人华灿光电（浙江）有限公司地址322000浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号(72)发明人葛永晖陈张笑雄肖云飞陆香花李鹏(74)专利代理机构北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138专利代理师吕耀萍(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)H01L29/08(2006.01)H01L29/10(2006.01)H01L29/20(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图2页(54)发明名称HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件(57)摘要本公开提供了一种HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件，属于半导体器件技术领域。所述HEMT外延片包括：Si衬底、依次层叠在所述Si衬底上的复合过渡层、AlGaN缓冲层、AlGaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层与GaN盖帽层，所述复合过渡层包括依次层叠在所述Si衬底上的低温BP成核层、高温BP成核层和预铺Al层，所述低温BP成核层的生长温度低于所述高温BP成核层的生长温度。CN115274818ACN115274818A权利要求书1/1页1.一种HEMT外延片，其特征在于，所述HEMT外延片包括：Si衬底、依次层叠在所述Si衬底上的复合过渡层、AlGaN缓冲层、AlGaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层与GaN盖帽层，所述复合过渡层包括依次层叠在所述Si衬底上的低温BP成核层、高温BP成核层和预铺Al层，所述低温BP成核层的生长温度低于所述高温BP成核层的生长温度。2.根据权利要求1所述的HEMT外延片，其特征在于，所述低温BP成核层的生长温度的取值范围为600℃～800℃，所述高温BP成核层的生长温度的取值范围为900℃～1100℃；所述低温BP成核层的厚度的取值范围为10nm～40nm，所述高温BP成核层的生长温度的取值范围为150nm～250nm；所述低温BP成核层的生长压力的取值范围为200mbar～300mbar，所述高温BP成核层的生长压力的取值范围为50mbar～100mbar。3.根据权利要求1所述的HEMT外延片，其特征在于，所述预铺Al层的生长温度的取值范围为900℃～1100℃，所述预铺Al层的生长压力的取值范围为40mbar～70mbar，所述预铺Al层的厚度的取值范围为1nm～5nm。4.根据权利要求1至3任一项所述的HEMT外延片，其特征在于，所述HEMT外延片还包括：位于所述GaN沟道层和所述AlGaN势垒层之间的AlN插入层。5.一种HEMT外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一Si衬底；在所述Si衬底上生长复合过渡层，所述复合过渡层包括依次层叠在所述Si衬底上的低温BP成核层、高温BP成核层和预铺Al层；在所述复合过渡层上依次生长AlGaN缓冲层、AlGaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层与GaN盖帽层。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述Si衬底上生长复合过渡层，包括：按照如下方式制备所述低温BP成核层：在生长温度的取值范围为600℃～800℃，生长压力的取值范围为200mbar～300mbar的条件下，生长厚度的取值范围为10nm～40nm的所述低温BP成核层。7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述Si衬底上生长复合过渡层，包括：按照如下方式制备所述高温BP成核层：在生长温度的取值范围为900℃～1100℃，生长压力的取值范围为50mbar～100mbar的条件下，生长厚度的取值范围为150nm～250nm的所述高温BP成核层。8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述Si衬底上生长复合过渡层，包括：按照如下方式制备所述预铺Al层：在生长温度的取值范围为900℃～1100℃的条件下，生长压力的取值范围为40mbar～70mbar的条件下，生长厚度的取值范围为1nm～5nm的所述预铺Al层。9.根据权利要求5至8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述GaN沟道层和所述AlGaN势垒层之间生长AlN插入层。10.一种HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件包括如权利要求1至4任一项所述的HEMT外延片。2CN115274818A说明书1/8页HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件技术领域[0001]本公开涉及到了半导体器件技术领域，特别涉及到一种HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件。背景技术[000