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提供了一种半导体器件,包含:势垒层,包含第一化合物半导体;沟道层,包含第二化合物半导体并且接合至势垒层的第一表面;绝缘层,设置在势垒层的与第一表面相对的第二表面上,并且具有暴露势垒层的开口;栅极电极,嵌入在开口中;源极电极和漏极电极,设置在夹着栅极电极的两侧的势垒层的第二表面上;以及材料层,包含金属材料或半导体材料并且被设置为与栅极电极和漏极电极之间的势垒层的第二表面接触。