半导体装置及半导体模块.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113678261A(43)申请公布日2021.11.19(21)申请号201980095117.3(51)Int.Cl.(22)申请日2019.04.09H01L29/78(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2021.09.30(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2019/0154592019.04.09(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/208706JA2020.10.15(71)申请人三菱电机株式会社地址日本东京(72)发明人西村一广上野诚荒木慎太郎河本厚信富冈昌则(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人何立波张天舒权利要求书2页说明书8页附图7页(54)发明名称半导体装置及半导体模块(57)摘要本发明涉及半导体装置，其具有：半导体基板，其具有流过主电流的有源区域、有源区域的周围的末端区域；聚酰亚胺膜，其设置于有源区域之上及末端区域之上；以及钝化膜，其是作为聚酰亚胺膜的下层膜而设置的，末端区域包含从有源区域侧依次设置的耐压保持区域及最外周区域，聚酰亚胺膜是将最外周区域的切割残留部排除在外而设置的，钝化膜至少在设置有聚酰亚胺膜的区域被设置作为下层膜。CN113678261ACN113678261A权利要求书1/2页1.一种半导体装置，其具有：半导体基板，其具有流过主电流的有源区域、所述有源区域的周围的末端区域；聚酰亚胺膜，其设置于所述有源区域之上及所述末端区域之上；以及钝化膜，其是作为所述聚酰亚胺膜的下层膜而设置的，所述末端区域包含从所述有源区域侧起依次设置的耐压保持区域及最外周区域，所述聚酰亚胺膜是将所述最外周区域的切割残留部排除在外而设置的，所述钝化膜至少在设置有所述聚酰亚胺膜的区域被设置作为下层膜。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜在所述最外周区域被设置作为所述钝化膜的下层膜。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，具有热氧化膜，该热氧化膜在所述最外周区域被设置作为所述层间绝缘膜的下层膜。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，还具有多晶硅膜，该多晶硅膜在所述最外周区域设置于所述层间绝缘膜和所述热氧化膜之间。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述耐压保持区域在所述层间绝缘膜之上具有与所述有源区域同心状地设置的场阻断电极，所述最外周区域在所述层间绝缘膜之上具有与所述场阻断电极同心状地设置的至少1个哑电极。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述至少1个哑电极包含设置为同心状的多个哑电极。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述钝化膜没有设置于所述最外周区域的所述切割残留部，在所述切割残留部，所述半导体基板的表面露出。8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述耐压保持区域在所述层间绝缘膜之上具有与所述有源区域同心状地设置的场阻断电极，所述末端区域还包含设置于所述耐压保持区域和所述切割残留部之间的哑区域，所述哑区域在所述层间绝缘膜之上具有与所述场阻断电极同心状地设置的哑电极。9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中，所述聚酰亚胺膜的端缘部的形状呈随着朝向外侧而膜厚平缓地变薄的形状。10.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中，所述钝化膜由TEOS氧化膜形成。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体基板为碳化硅半导体基板。12.一种半导体模块，其通过树脂封装材料对权利要求1至8中任一项所述的半导体装置进行了封装。13.根据权利要求12所述的半导体模块，其中，还具有以将所述聚酰亚胺膜的表面及所述最外周区域的表面覆盖的方式设置的上层2CN113678261A权利要求书2/2页钝化膜。14.根据权利要求13所述的半导体模块，其中，所述上层钝化膜由TEOS氧化膜形成。15.根据权利要求12所述的半导体模块，其中，还具有以将所述聚酰亚胺膜的表面及所述最外周区域的表面覆盖的方式设置的应力缓冲膜。16.根据权利要求15所述的半导体模块，其中，所述应力缓冲膜由硅凝胶或硅橡胶形成。3CN113678261A说明书1/8页半导体装置及半导体模块技术领域[0001]本发明涉及半导体装置，特别涉及在逆变器装置等电力电子领域中使用的半导体装置。背景技术[0002]IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)、MOSFET(Metal‑OxideSemiconductorFieldEffectTransistor)、二极管等半导体装置具有流过主电流的有源区域、用于保持耐压的末端区域。在末端区域，以耐压保持及半导体装置的保护等为目的，具有在半导体基板之上设置的绝缘膜及钝化膜，而且以电极保护