用于控制微光刻投射曝光系统中元件温度的设备和方法.pdf
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相关资料
用于控制微光刻投射曝光系统中元件温度的设备和方法.pdf
本发明涉及一种微光刻投射曝光系统,特别是用于DUV范围(400)或EUV范围(100)的微光刻投射曝光系统,包括照明单元(102;402)和具有至少一个元件(370,372,380,382,390,396,397,399,391,392,393,394,398,451,930,1010,1012,1014)的投射镜头(104,340,640;404),该至少一个元件至少区域性地被至少一个温度控制流体管线(302,304,306,308,310,452,476,486,602,919,921,1007)穿透
半导体光刻的投射曝光设备.pdf
本发明涉及一种用于半导体光刻的投射曝光设备(1),其包括光学校正元件(20)和用于通过电磁加热辐射(44.x)至少部分地辐照校正元件(20)的光学活性区域(22)的构件,其中光学校正元件(20)在光学活性区域(22)外部配备有至少一个电加热元件(25.x)。
特别是在微光刻投射曝光设备中的组件.pdf
本发明关于组件,特别是在微光刻投射曝光设备中。根据一个方面,该组件包括光学元件(120)以及接头配置,所述接头配置用于机械承载该光学元件(120),其中该接头配置包括固定在该光学元件(120)上的至少一个连接元件(110、210、310、410、510),并且其中该连接元件(110、310、410)的质量(m<base:Sub>pin</base:Sub>)分布在其长度(L)上,如此与质量和长度相同的连接元件相比,该连接元件的转动惯量(I)增加,其中质量均匀分布在长度上。
用于光刻设备的控制系统和方法.pdf
一种用于在第一时基中的第一开始时间值初始化第一模块(120)中的第一操作的方法,该方法包括生成时钟信号(402,116),基于该时钟信号(116)在第一模块(120)中生成第二时基(403),确定第二时基中的第二同步值(405),确定与第二时基中第二同步值对应的第一时基中的第一同步值(406),基于第一时基中的第一同步值和开始时间值确定第二时基中的开始触发值(410),并基于第一模块(120)中第二时基的开始触发值和当前值来初始化第一模块(120)中的第一操作(411)。
用于控制光刻系统的方法.pdf
一种光刻系统,包括辐射源和光刻设备。辐射源将辐射提供至光刻设备。光刻设备使用辐射将图案成像至位于半导体衬底上的光致抗蚀剂层上的多个目标区域上。成像需要预定剂量的辐射。该系统被控制为根据预定剂量的量值来设定辐射的功率水平。