半导体光刻的投射曝光设备.pdf
春兰****89
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半导体光刻的投射曝光设备.pdf
本发明涉及一种用于半导体光刻的投射曝光设备(1),其包括光学校正元件(20)和用于通过电磁加热辐射(44.x)至少部分地辐照校正元件(20)的光学活性区域(22)的构件,其中光学校正元件(20)在光学活性区域(22)外部配备有至少一个电加热元件(25.x)。
半导体工艺图形曝光与光刻.ppt
图形曝光与光刻图形曝光与刻蚀光学图形曝光-洁净室光刻机掩模版抗蚀剂图案转移分辨率增加技术新一代图形曝光技术电子束图形曝光SCALPEL电子束抗蚀剂邻近效应极远紫外光图形曝光(EUV)X射线图形曝光(XRL)离子束图形曝光不同图形曝光方法的比较湿法化学腐蚀(WCE)硅的腐蚀二氧化硅的腐蚀氮化硅与多晶硅的腐蚀铝腐蚀砷化镓的腐蚀干法刻蚀干法刻蚀基本等离子体理论刻蚀机制、等离子体探测与终点的控制等离子体探测终点控制反应等离子体刻蚀技术与设备反应离子刻蚀(RIE)电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀机其他高密度等离子
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图形曝光与刻蚀光学图形曝光-洁净室光刻机掩模版抗蚀剂图案转移分辨率增加技术新一代图形曝光技术电子束图形曝光SCALPEL电子束抗蚀剂邻近效应极远紫外光图形曝光(EUV)X射线图形曝光(XRL)离子束图形曝光不同图形曝光方法的比较湿法化学腐蚀(WCE)硅的腐蚀二氧化硅的腐蚀氮化硅与多晶硅的腐蚀铝腐蚀砷化镓的腐蚀干法刻蚀干法刻蚀基本等离子体理论刻蚀机制、等离子体探测与终点的控制等离子体探测终点控制反应等离子体刻蚀技术与设备反应离子刻蚀(RIE)电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀机其他高密度等离子体刻蚀机集成等
特别是在微光刻投射曝光设备中的组件.pdf
本发明关于组件,特别是在微光刻投射曝光设备中。根据一个方面,该组件包括光学元件(120)以及接头配置,所述接头配置用于机械承载该光学元件(120),其中该接头配置包括固定在该光学元件(120)上的至少一个连接元件(110、210、310、410、510),并且其中该连接元件(110、310、410)的质量(m<base:Sub>pin</base:Sub>)分布在其长度(L)上,如此与质量和长度相同的连接元件相比,该连接元件的转动惯量(I)增加,其中质量均匀分布在长度上。
半导体器件 第12章 图形曝光与光刻.ppt
第12章图形曝光与光刻概述光学图形曝光光刻机掩模版缺陷密度是掩模版好坏的主要原因之一。掩模版缺陷可能在制造掩模版或是接下来的图形曝光工艺步骤中产生。抗蚀剂分辨率增加技术新一代图形曝光技术电子束图形曝光邻近效应极远紫外光图形曝光(EUV)X射线图形曝光(XRL)离子束图形曝光不同图形曝光方法的比较湿法化学腐蚀(WCE)干法刻蚀基本等离子体理论课堂小结ThanksforListening!