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本实用新型涉及微波等离子体技术领域,具体而言,涉及一种用于MPCVD设备的反应腔,包括钼台1、样品台2、上空腔3和下空腔4,所述上空腔3和下空腔4均呈圆柱体状,所述上空腔3和下空腔4同轴,所述上空腔3的直径大于下空腔4的直径,所述上空腔3的顶面与侧壁之间设置有第一倒角7,所述下空腔4的顶面与侧壁之间设置有第二倒角8,所述下空腔4的底面与侧壁之间设置有第三倒角9,提供了一种可集中场强、延长设备使用寿命的用于MPCVD设备的反应腔。