一种用于MPCVD设备的反应腔.pdf
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相关资料
一种用于MPCVD设备的反应腔.pdf
本实用新型涉及微波等离子体技术领域,具体而言,涉及一种用于MPCVD设备的反应腔,包括钼台1、样品台2、上空腔3和下空腔4,所述上空腔3和下空腔4均呈圆柱体状,所述上空腔3和下空腔4同轴,所述上空腔3的直径大于下空腔4的直径,所述上空腔3的顶面与侧壁之间设置有第一倒角7,所述下空腔4的顶面与侧壁之间设置有第二倒角8,所述下空腔4的底面与侧壁之间设置有第三倒角9,提供了一种可集中场强、延长设备使用寿命的用于MPCVD设备的反应腔。
一种反应腔设备.pdf
本申请公开一种反应腔设备,其腔室内设有加工待加工件的加工位,包括同心设置的至少两个传送装置,所述传送装置均设有多个支撑部,所述加工位位于相邻两个所述传送装置之间;且相邻两个所述传送装置中,位于外侧的所述传送装置的至少一个所述支撑部与位于内侧的所述传送装置的至少一个所述支撑部组成一个支撑所述待加工件的支撑位,所有所述传送装置的所述支撑部均能够同心旋转。本申请中,反应腔设备的加工位分布于相邻两个传送装置之间,位于外侧的传送装置的支撑部,与位于内侧的传送装置的支撑部沿径向具有间距,这样支持待加工件的支撑部无需位
一种外延设备的反应腔结构.pdf
本实用新型公开一种外延设备的反应腔结构,涉及碳化硅生产设备技术领域,包括隔热筒、加热筒和晶圆托盘;隔热筒内设置有隔热腔,隔热腔用于容纳加热筒;加热筒内设置有托盘腔室,托盘腔室用于容纳晶圆托盘;晶圆托盘可转动的设置于加热筒内。外部是由隔热筒组成的隔热腔,内部中空区域大小与方形加热筒一致,隔热腔挖空区域较少,故厚度较大,保温效果较好;内部的方形加热筒由两部分组成,上部加热盖片只是简单的较薄的立方体结构,加工较为简单,且用料较少,相对于上半月加热筒而言,大大降低了时间和制造成本,且长时间的外延过程中,表面会附着
一种用于反应腔的基板加热及传输装置.pdf
本发明公开了一种用于反应腔的基板加热及传输装置,包括安装在反应腔侧壁上的滚轮传动装置和设置在反应腔底部的升降支撑装置,其中,所述滚轮传动装置包括仅支持转动的磁流体密封传动装置及受其制动的传输滚轮,所述传输滚轮通过传输垫板运输基板;所述升降支撑装置包括加热板托架及控制其运动的升降气缸,所述加热板托架上设有加热板。本发明通过在装置中引入传输垫板,从而大大降低了基板的破碎率,可靠性高;同时大大简化了装置结构,降低了生产难度以及生产成本,应用前景广阔。
一种用于MPCVD设备的微波抑制结构及微波抑制方法.pdf
本发明提供一种用于MPCVD设备的微波抑制结构及微波抑制方法,其中,用于MPCVD设备的微波抑制结构,包括设置在真空腔内的金刚石生长基板台和支撑架,所述支撑架具有第一空腔,所述金刚石生长基板台活动套接在第一空腔内,且金刚石生长基板台能够在所述支撑架的第一空腔内竖直升降,所述支撑架的内侧壁上沿周向开设有微波抑制槽,构成至少两个不连续的微波传送路径,且两个不连续的微波传送路径距离之和为λ/2的整数倍,每段微波传送路径的距离为λ/4的奇数倍,其中λ为微波波长。本发明只需要在支撑架的内侧壁沿其周向开始微波抑制槽,