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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112813421A(43)申请公布日2021.05.18(21)申请号202011601888.6(22)申请日2020.12.29(71)申请人长沙新材料产业研究院有限公司地址410205湖南省长沙市高新开发区文轩路27号麓谷钰园B8栋7楼(72)发明人魏浩胤黄翀(74)专利代理机构长沙楚为知识产权代理事务所(普通合伙)43217代理人李大为(51)Int.Cl.C23C16/511(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称一种用于MPCVD设备的微波抑制结构及微波抑制方法(57)摘要本发明提供一种用于MPCVD设备的微波抑制结构及微波抑制方法,其中,用于MPCVD设备的微波抑制结构,包括设置在真空腔内的金刚石生长基板台和支撑架,所述支撑架具有第一空腔,所述金刚石生长基板台活动套接在第一空腔内,且金刚石生长基板台能够在所述支撑架的第一空腔内竖直升降,所述支撑架的内侧壁上沿周向开设有微波抑制槽,构成至少两个不连续的微波传送路径,且两个不连续的微波传送路径距离之和为λ/2的整数倍,每段微波传送路径的距离为λ/4的奇数倍,其中λ为微波波长。本发明只需要在支撑架的内侧壁沿其周向开始微波抑制槽,利用微波的传输特性,使得微波的终端短路传输线内阻抗趋近无穷大,从而防止微波的泄露,结构简单可靠。CN112813421ACN112813421A权利要求书1/1页1.一种用于MPCVD设备的微波抑制结构,其特征在于,包括设置在真空腔内的金刚石生长基板台和支撑架,所述支撑架具有第一空腔,所述金刚石生长基板台活动套接在第一空腔内,且金刚石生长基板台能够在所述支撑架的第一空腔内竖直升降,所述支撑架的内侧壁上沿周向开设有微波抑制槽,构成至少两个不连续的微波传送路径,且两个不连续的微波传送路径距离之和为λ/2的整数倍,每段微波传送路径的距离为λ/4的奇数倍,其中λ为微波波长。2.根据权利要求1所述的一种用于MPCVD设备的微波抑制结构,其特征在于,所述支撑架顶面到微波抑制槽之间的竖直距离L1构成第一微波传送路径,所述微波抑制槽的沿所述支撑架壁厚方向的槽深L2构成第二微波传送路径,且L1+L2=nλ/2,L1=(2n‑1)λ/4,L2=(2n‑1)λ/4,其中,n为非零自然数,λ为微波波长。3.根据权利要求1或2所述的一种用于MPCVD设备的微波抑制结构,其特征在于,所述支撑架为包括但限于圆柱体或多边立方体。4.根据权利要求1或2所述的一种用于MPCVD设备的微波抑制结构,其特征在于,所述支撑架的上部设置有容纳冷却水的第二空腔,所述微波抑制槽设置在第二空腔的下侧。5.根据权利要求1或2所述的一种用于MPCVD设备的微波抑制结构,其特征在于,所述微波抑制槽沿周向连续并形成环形封闭区域。6.根据权利要求1或2所述的一种用于MPCVD设备的微波抑制结构,其特征在于,所述微波抑制槽的宽度在2~20mm之间。7.根据权利要求1或2所述的一种用于MPCVD设备的微波抑制结构,其特征在于,所述支撑架的材料为金属材料。8.根据权利要求7所述的一种用于MPCVD设备的微波抑制结构,其特征在于,所述金属材料包括但不限于不锈钢或铜。9.一种用于MPCVD设备的微波抑制方法,其特征在于,其步骤包括:通过终端短路传输线内阻抗的周期性变换规律在MPCVD设备的支撑架和金刚石生长基板台之间构成等效短路面,使得终端短路传输线内阻抗趋近无穷大,从而防止微波的泄露,其中,Zin为输入阻抗,Z0为传输线特性阻抗,λ为波长,Z′为到短路面的距离。10.根据权利要求9所述的一种用于MPCVD设备的微波抑制方法,其特征在于,选取支撑架的顶面为等效短路面,金刚石生长基板台活动套接在支撑架内,并具有活动间隙;在支撑架内侧壁沿周向开设环形微波抑制槽,且微波抑制槽的深度沿支撑架壁厚方向延伸,微波抑制槽沿其深度方向的槽底为短路面,从而构成至少两个不连续的微波传送路径,且两个不连续的微波传送路径距离之和为λ/2的整数倍,每段微波传送路径的距离至少为λ/4的奇数倍,其中λ为微波波长。2CN112813421A说明书1/5页一种用于MPCVD设备的微波抑制结构及微波抑制方法技术领域[0001]本发明属于微波等离子体加工技术领域,具体涉及一种用于MPCVD设备的微波抑制结构及微波抑制方法。背景技术[0002]微波等离子体化学气相沉积(Microwaveplasmachemicalvapordeposition)简称MPCVD,是一种将微波发生器产生的微波用波导管经隔离器进入反应室,在微波的激励下,使反应室中的气体分子电离产生等离子体,在衬底上沉积得到金刚石膜的设备,具有产量大、质量高、成本低的优点,其原理是,利用微