一种外延设备的反应腔结构.pdf
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一种外延设备的反应腔结构.pdf
本实用新型公开一种外延设备的反应腔结构,涉及碳化硅生产设备技术领域,包括隔热筒、加热筒和晶圆托盘;隔热筒内设置有隔热腔,隔热腔用于容纳加热筒;加热筒内设置有托盘腔室,托盘腔室用于容纳晶圆托盘;晶圆托盘可转动的设置于加热筒内。外部是由隔热筒组成的隔热腔,内部中空区域大小与方形加热筒一致,隔热腔挖空区域较少,故厚度较大,保温效果较好;内部的方形加热筒由两部分组成,上部加热盖片只是简单的较薄的立方体结构,加工较为简单,且用料较少,相对于上半月加热筒而言,大大降低了时间和制造成本,且长时间的外延过程中,表面会附着
一种外延反应设备.pdf
本申请提供了一种外延反应设备,涉及外延层工艺设备技术领域。外延反应设备包括传送装置及至少一反应装置;反应装置包括高温反应室、供气模组及抽气模组,高温反应室用于为晶圆提供加工时所需的环境条件,供气模组和抽气模组相对设置于高温反应室,供气模组用于供应反应气体,抽气模组用于抽取残留的气体;传送装置设置于高温反应室及与供气模组位于同一侧,传送装置用于取放晶圆。本申请提供的外延反应设备,有效解决了副产物掉落至晶圆的风险问题。另外在进行清洁维护时,省去了传送装置和供气模组分离的工序,简化工序,降低成本,操作可靠,提高
一种外延反应设备.pdf
本发明实施例提供一种外延反应设备,包括用于支撑硅晶圆的基座,该基座包括:凸台和底板,凸台与底板的周缘连接,凸台与底板的连接处设置有倾斜面,底板的上表面设置有气体导通槽,凸台内设置有气体排出隧道,气体排出隧道与气体导通槽连通。在本发明实施例中,通过气体导通槽与气体排出隧道将底板的上表面与硅晶圆下表面之间的气体排出基座,避免残留的反应气体对硅晶圆造成蚀刻,提高了硅晶圆的质量。
一种反应腔设备.pdf
本申请公开一种反应腔设备,其腔室内设有加工待加工件的加工位,包括同心设置的至少两个传送装置,所述传送装置均设有多个支撑部,所述加工位位于相邻两个所述传送装置之间;且相邻两个所述传送装置中,位于外侧的所述传送装置的至少一个所述支撑部与位于内侧的所述传送装置的至少一个所述支撑部组成一个支撑所述待加工件的支撑位,所有所述传送装置的所述支撑部均能够同心旋转。本申请中,反应腔设备的加工位分布于相邻两个传送装置之间,位于外侧的传送装置的支撑部,与位于内侧的传送装置的支撑部沿径向具有间距,这样支持待加工件的支撑部无需位
腔室及外延生长设备.pdf
本发明提供一种腔室及外延生长设备,该腔室包括石英腔体、设置在该石英腔体内用于承载被加工工件的基座、以及热源,该热源设置在石英腔体的外部,用以透过石英腔体朝向基座辐射热量,基座采用石英制作。本发明提供的腔室,其不仅可以减少热量损耗,提高工艺升温/降温速率,而且可以避免基座附着有残留物的情况,延长了基座的更换周期,从而降低了运行成本和设备成本。本发明提供的外延生长设备包括本发明的腔室,其不仅可以减少热量损耗,提高工艺升温/降温速率,而且可以避免基座附着有残留物的情况,延长了基座的更换周期,从而降低了运行成本和