一种反应腔设备.pdf
雨巷****轶丽
亲,该文档总共21页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
一种反应腔设备.pdf
本申请公开一种反应腔设备,其腔室内设有加工待加工件的加工位,包括同心设置的至少两个传送装置,所述传送装置均设有多个支撑部,所述加工位位于相邻两个所述传送装置之间;且相邻两个所述传送装置中,位于外侧的所述传送装置的至少一个所述支撑部与位于内侧的所述传送装置的至少一个所述支撑部组成一个支撑所述待加工件的支撑位,所有所述传送装置的所述支撑部均能够同心旋转。本申请中,反应腔设备的加工位分布于相邻两个传送装置之间,位于外侧的传送装置的支撑部,与位于内侧的传送装置的支撑部沿径向具有间距,这样支持待加工件的支撑部无需位
一种外延设备的反应腔结构.pdf
本实用新型公开一种外延设备的反应腔结构,涉及碳化硅生产设备技术领域,包括隔热筒、加热筒和晶圆托盘;隔热筒内设置有隔热腔,隔热腔用于容纳加热筒;加热筒内设置有托盘腔室,托盘腔室用于容纳晶圆托盘;晶圆托盘可转动的设置于加热筒内。外部是由隔热筒组成的隔热腔,内部中空区域大小与方形加热筒一致,隔热腔挖空区域较少,故厚度较大,保温效果较好;内部的方形加热筒由两部分组成,上部加热盖片只是简单的较薄的立方体结构,加工较为简单,且用料较少,相对于上半月加热筒而言,大大降低了时间和制造成本,且长时间的外延过程中,表面会附着
一种用于MPCVD设备的反应腔.pdf
本实用新型涉及微波等离子体技术领域,具体而言,涉及一种用于MPCVD设备的反应腔,包括钼台1、样品台2、上空腔3和下空腔4,所述上空腔3和下空腔4均呈圆柱体状,所述上空腔3和下空腔4同轴,所述上空腔3的直径大于下空腔4的直径,所述上空腔3的顶面与侧壁之间设置有第一倒角7,所述下空腔4的顶面与侧壁之间设置有第二倒角8,所述下空腔4的底面与侧壁之间设置有第三倒角9,提供了一种可集中场强、延长设备使用寿命的用于MPCVD设备的反应腔。
反应腔.pdf
本发明公开了一种反应腔。所述反应腔包括位于所述反应腔顶部的喷淋头和位于所述反应腔底部且正对所述喷淋头的基座;在所述喷淋头上加载电势成为正极,在所述喷淋头下方设置一负极,从而形成了一电场,这有助于减少甚至杜绝反应正离子向着喷淋头的下表面扩散,从而有效的减少了附着在喷淋头的下表面上的微粒的数量,乃至不会形成微粒附着,从而降低了对生长膜层的影响,提高了成膜质量。
一种石英反应腔的维护方法.pdf
本发明通过在将所述承载室的环境设置为大气环境,并将承载室空载后装载至石英反应腔室中;增加所述石英反应腔室的温度至预设温度,所述大气环境中的氧气与残留物膜层的表面析出有固体的N型离子反应形成杂质气体,并在石英反应腔室的腔室壁上形成硅氧薄膜;以及将石英反应腔室中的所述杂质气体抽出,使得石英反应腔室的腔室壁上析出的N型离子气化并得以去除,以及硅氧薄膜的绝缘作用,避免和阻止磷掺杂硅生产过程中,石英反应腔的残留物薄膜表面析出固态的磷,从而降低了由于磷析出后扩散至晶圆表面产生颗粒残留物污染,还可以延长使用三氟化氯气体