一种半球谐振子的湿法刻蚀方法.pdf
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一种半球谐振子的湿法刻蚀方法.pdf
本发明公开了一种半球谐振子的湿法刻蚀方法,步骤依次为:清洗,1#刻蚀液刻蚀,中和,用去离子水清洗,清洗,2#刻蚀液刻蚀,干燥,最后测试半球谐振子的Q值和频率裂解,若Q值上升幅度不明显则停止刻蚀,否则继续重复直至Q值上升幅度不明显或达到要求为止;本发明方法适用于普通磨削成型的谐振子刻蚀,谐振子无需前期抛光处理,即可通过湿法刻蚀将表面粗糙度从Ra(0.2~1.0)微米降低至Ra0.2微米以下,而且刻蚀均匀性好,Q值高。
一种湿法刻蚀方法.pdf
本发明提出了一种湿法刻蚀方法,创新性的采用了链式与槽式相结合的湿法刻蚀方法,完美的解决了传统链式湿法刻蚀所导致的EL滚轮印、皮带印、黑点黑斑等问题,同时,除刻蚀槽外其他槽体滚轮不再使用,碱槽喷淋不再使用,从而减少了设备耗材的消耗与维护,极大的降低了设备的维护成本和极大的提高了生产效率。另外,本发明湿法刻蚀中碱槽不再使用喷淋,彻底解决了喷淋易堵塞而导致背面多孔硅去除不干净的隐患。
一种湿法刻蚀设备及方法.pdf
本发明公开了一种湿法刻蚀设备及方法,用于提高湿法刻蚀系统的工艺工程能力,降低出现产品不良的概率。其中,所述湿法刻蚀设备包括多个并列的腔体压力喷射单元(30),每一个腔体压力喷射单元(30)包括传动轮(301)、调节装置(302)、并排设置的多个腔体(303)以及设置在腔体(303)上的喷嘴(304),其中:所述传动轮(301),用于放置待刻蚀基板;所述腔体(303),用于在预设的刻蚀时间内,将药液通过所述喷嘴(304)压出,溅射到所述待刻蚀基板上;所述调节装置(302),用于在所述腔体(303)将药液通过
一种InGaP的湿法刻蚀方法.pdf
本发明涉及半导体制造业技术领域,尤其涉及一种InGaP的湿法刻蚀方法,包括如下步骤:在衬底或外延层上生长InGaP层;采用湿法刻蚀方法对衬底或外延层进行刻蚀,并在InGaP层上生长SiN层;采用反应离子束刻蚀方法刻蚀SiN层;采用稀盐酸清洗晶圆表面,去除表面氧化物薄层;采用弱氨水清洗晶圆表面,去除稀盐酸处理晶圆表面后残留的H
一种湿法刻蚀机.pdf
本发明提供一种湿法刻蚀机,包括:刻蚀腔,所述刻蚀腔内设置有多个滚轮,所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动;第一喷淋装置,与所述滚轮相对设置,用于向所述基板表面喷淋刻蚀液,使所述基板表面的薄膜层形成预设图案;第二喷淋装置,设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处,用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液;挡板,设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间,用于遮挡喷向所述第一喷淋装置一侧的所述清洗液;所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与外部,用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所