一种湿法刻蚀机.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109087871A(43)申请公布日2018.12.25(21)申请号201810802738.8(22)申请日2018.07.20(71)申请人深圳市华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人刘俊领(74)专利代理机构深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300代理人黄威(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种湿法刻蚀机(57)摘要本发明提供一种湿法刻蚀机，包括：刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有多个滚轮，所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动；第一喷淋装置，与所述滚轮相对设置，用于向所述基板表面喷淋刻蚀液，使所述基板表面的薄膜层形成预设图案；第二喷淋装置，设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处，用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液；挡板，设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间，用于遮挡喷向所述第一喷淋装置一侧的所述清洗液；所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与外部，用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。CN109087871ACN109087871A权利要求书1/1页1.一种湿法刻蚀机，其特征在于，包括：刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有多个滚轮，所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动；第一喷淋装置，与所述滚轮相对的设置于所述刻蚀腔内，用于向所述基板表面喷淋刻蚀液，使所述基板表面的薄膜层形成预设图案；第二喷淋装置，设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处，用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液；挡板，设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间，且靠近所述刻蚀出口的位置，用于遮挡所述清洗液防止喷淋至所述第一喷淋装置一侧的所述刻蚀液中；其中，所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与所述刻蚀腔外部，用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述挡板包括上挡板与相对设置的下挡板，所述上挡板与所述下挡板在对应所述滚轮的位置存在间隙，用以使所述基板顺利通过所述挡板向所述刻蚀出口移动。3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述下挡板至少靠近所述刻蚀腔底部的一部分向所述刻蚀出口一侧倾斜设置，并沿所述刻蚀腔底部向相邻腔室内延伸，且延伸至所述第二喷淋装置的喷淋范围外。4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述下挡板为槽型，用于容置所述第二喷淋装置喷淋出的所述清洗液，所述下挡板位于所述相邻腔室一侧的底部设置有第一排水口，所述清洗液经由所述第一排水口排出，所述下挡板上设置有导液管，用于将所述清洗液导流至所述第一排水口。5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述第二喷淋装置包括喷淋杆以及斜向设置的喷嘴，所述喷淋杆一端固定于所述刻蚀腔的腔体上，另一端连接所述喷嘴，且所述刻蚀出口两侧的所述喷嘴相对设置，用于分别由两侧向所述刻蚀出口喷淋所述清洗液。6.根据权利要求5所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述喷嘴活动的设置于所述喷淋杆上，用以调整所述喷嘴的倾斜角度以及喷淋范围。7.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀液为草酸溶液，所述清洗液为去离子水。8.根据权利要求7所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述第二喷淋装置包括水刀组件，所述刻蚀出口两侧的所述水刀组件的开口相对设置，用于分别由两侧向所述刻蚀出口喷淋所述去离子水。9.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀腔底部为凹槽状，用于容置所述第一喷淋装置喷淋出的所述刻蚀液，且所述刻蚀腔底部设置有第二排水口，所述刻蚀液经由所述第二排水口排出。10.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀腔内还包括风刀组件，所述风刀组件设置于所述挡板靠近所述第一喷淋装置的一侧，所述风刀组件一端固定于所述刻蚀腔的腔体上，另一端开口朝向所述所述第一喷淋装置倾斜设置，用于向所述刻蚀腔内排风。2CN109087871A说明书1/4页一种湿法刻蚀机技术领域[0001]本发明涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种湿法刻蚀机。背景技术[0002]TFT-LCD等微电路是通过在基板上形成的铝、铝合金、铜及铜合金等导电性金属膜或二氧化硅膜、氮化硅薄膜等绝缘膜上，然后在其表面均匀涂布光刻胶，再通过相应图形的光罩经曝光显影的方式使所光刻胶成现出所需的图形，其次采用湿法或干法蚀刻，将未被光刻胶覆盖的金属或非金属膜刻蚀掉，最后去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成所需的电路。[0003]ITO膜层作为公共电极也是TFT-LCD制作过程中的一层，其ITO膜层