半导体晶体定向精讲.ppt
第三章半导体晶体定向一、半导体晶体定向在生产中的应用1、生产工艺的要求，晶体的生长方向与晶向之间存在一定的偏离角度。2、切籽晶时，要求有一定晶向的偏离度。(无位错生长）3、晶体在制造器件或进行外延时，要求按一定的晶向切片4、制造小器件时，按一定方向进行切片可以减少碎片，提高成品率。按国家质量技术监督检验检疫总局，半导体单晶晶向测定方法有两种：（适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向）（1）X射线衍射定向法：该方法可用于所有半导体单晶的定向；（2）光图定向法：该方法目的主要用于单一元素半导
2024-11-26
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半导体探测器最新进展概要.ppt
半导体探测器最新进展二、半导体探测器的发展三、半导体探测器的原理1、P-N结半导体探测器加反向电压，N区接正，P区接负，外加电场方向与内建电场方向相同，使结区宽度增加。当带电粒子穿过时产生电子－空穴对，在高电场下分别向正负电极漂移，产生信号。应用：带电重粒子测量。3、化合物(CdZnTe)半导体探测器(γ射线)4、单光子雪崩光电二极管探测器单个光子入射到单光子雪崩光电二极管（SPAD）表面时，通过光电效应激发出一个载流子，进而触发雪崩过程，引起一个非常大的雪崩信号，从而实现单个光子的探测。四、半导体探测器
2024-11-26
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半导体探测器.ppt
第十章半导体探测器半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。半导体探测器的特点：10.1半导体的基本性质2)杂质半导体4)受主杂质(Acceptorimpurities)与受主能级Dopingwithvalence5atoms2、载流子浓度和补偿效应2)补偿效应3、半导体作为探测介质的物理性能2)载流子的漂移3)电阻率与载流子寿命10.2P-N结半导体探测器(2)P-N结内的电流(3)外加电场下的P-N结：2)P-N结半导体探测
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半导体常规电学参数测试分析.ppt
第一章硅单晶常规电学参数的测试1.1半导体硅单晶导电型号的测量二、导电类型的测量方法三、冷热探笔法2、温差电动势、及电流的产生：（b）P型半导体3、导电类型的判定冷探笔STY-2仪器的优点1）插好背板上的电源线，并与～220V插座相接；将热笔、冷笔与面板上4芯、3芯插座相接。2）打开仪器面板左下角的电源开关，电源指示灯及热笔加热灯亮。10分钟左右热笔达到工作温度时，保温（绿）灯亮，即可进行型号测量。热探笔随后自动进入保温→加热→保温→…循环，温度保持在40-60℃（国标及国际标准规定的温度）。3）先将热笔
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半导体工艺基础氧化.ppt
第三章Oxidation氧化简介Oxidation氧化膜的应用掺杂阻挡氧化层表面钝化(保护)氧化层ScreenOxidePadandBarrierOxidesinSTIProcessApplication,PadOxide牺牲氧化层SacrificialOxide器件隔离氧化层BlanketFieldOxideIsolationLOCOSProcessLOCOS栅氧化层氧化膜(层)应用SiliconDioxideGrownonImproperlyCleanedSiliconSurface表面未清洗硅片的热
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半导体工艺图形曝光与光刻.ppt
图形曝光与刻蚀光学图形曝光－洁净室光刻机掩模版抗蚀剂图案转移分辨率增加技术新一代图形曝光技术电子束图形曝光SCALPEL电子束抗蚀剂邻近效应极远紫外光图形曝光（EUV）X射线图形曝光（XRL）离子束图形曝光不同图形曝光方法的比较湿法化学腐蚀（WCE）硅的腐蚀二氧化硅的腐蚀氮化硅与多晶硅的腐蚀铝腐蚀砷化镓的腐蚀干法刻蚀干法刻蚀基本等离子体理论刻蚀机制、等离子体探测与终点的控制等离子体探测终点控制反应等离子体刻蚀技术与设备反应离子刻蚀（RIE）电子回旋共振（ECR）等离子体刻蚀机其他高密度等离子体刻蚀机集成等
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半导体学报介绍.pptx
半导体学报介绍Contents1.半导体学报简介1.半导体学报简介1.半导体学报简介1.半导体学报简介1.半导体学报简介2.投稿流程2.投稿流程2.投稿流程2.投稿流程3.稿件录用后的事项4.奖励政策4.奖励政策Thankyou!
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半导体基础知识三极管.ppt
晶体三极管又称双极型晶体管(BJT)，一般由两个背靠背的PN结构成，根据这两个PN结的排列方式不同，三极管分为NPN型和PNP型两种。晶体三极管和晶体二极管一样都是非线性器件，它的主要特性与其工作模式有关。2.2放大模式下的工作原理三极管的放大作用和载流子的运动三极管内部结构要求：bbb三个极的电流之间满足节点电流定律，即上式中的后一项常用ICEO表示，ICEO称穿透电流。三极管的电流分配关系IB/mA-0.00100.010.020.030.040.05根据和的定义，以及三极管中三个电流的关系，可得
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半导体基本知识讲解.ppt
第6章半导体基本知识6.1半导体及其特性6.2本征半导体和杂质半导体6.2本征半导体和杂质半导体6.2本征半导体和杂质半导体6.2本征半导体和杂质半导体6.3PN结6.3PN结6.3PN结图6一1硅、锗原子结构图6一2硅单晶体的结构图6一2硅单晶体的结构图6一4硅晶体中掺磷出现自由电子图6一5硅晶体掺硼出现空穴图6一6PN结的形成图6一6PN结的形成图6一7PN结正向导通图6一8PN结反向截止
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半导体基本器件.ppt
学习目的1.1.1本征半导体少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。1.半导体中两种载流子杂质半导体本征半导体掺入5价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有5个价电子，其中4个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。+4在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成P型半导体。+4在一块半导体单晶上一侧掺杂成为P型半导体，另一侧掺杂成为N型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为P
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