半导体工艺基础氧化-豆柴文库

半导体工艺基础氧化.ppt

2024-11-26

10金币

6.3MB

58页

YY****。。

实名认证

内容提供者

1/10

2/10

3/10

4/10

5/10

6/10

7/10

8/10

9/10

10/10

亲，该文档总共58页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～

下载提示文本预览

如果您无法下载资料，请参考说明：

1、部分资料下载需要金币，请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档，再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压，在使用对应软件打开

相关资料

半导体工艺基础氧化.ppt

第三章Oxidation氧化简介Oxidation氧化膜的应用掺杂阻挡氧化层表面钝化(保护)氧化层ScreenOxidePadandBarrierOxidesinSTIProcessApplication,PadOxide牺牲氧化层SacrificialOxide器件隔离氧化层BlanketFieldOxideIsolationLOCOSProcessLOCOS栅氧化层氧化膜(层)应用SiliconDioxideGrownonImproperlyCleanedSiliconSurface表面未清洗硅片的热

2024-11-26

6.3MB

半导体制造工艺氧化.pptx

半导体制造工艺第4章氧化第4章氧化4.1引言4.2二氧化硅膜的性质4.2二氧化硅膜的性质4.2二氧化硅膜的性质4.2二氧化硅膜的性质4.2二氧化硅膜的性质4.3二氧化硅膜的用途4.3二氧化硅膜的用途4.4热氧化原理4.4热氧化原理4.4热氧化原理4.4热氧化原理4.4热氧化原理4.4热氧化原理4.5氧化设备4.5氧化设备4.5氧化设备4.5氧化设备4.5氧化设备4.6氧化膜的质量控制4.6氧化膜的质量控制4.6氧化膜的质量控制4.6氧化膜的质量控制4.6氧化膜的质量控制4.6氧化膜的质量控制4.6氧化膜的

2024-01-25

904KB

半导体工艺基础第三章氧化.ppt

第三章Oxidation氧化简介Oxidation氧化膜的应用掺杂阻挡氧化层表面钝化(保护)氧化层ScreenOxidePadandBarrierOxidesinSTIProcessApplicationPadOxide牺牲氧化层SacrificialOxide器件隔离氧化层BlanketFieldOxideIsolationLOCOSProcessLOCOS栅氧化层氧化膜(层)应用SiliconDioxideGrownonImproperlyCleaned

2024-01-06

6.4MB

半导体制造工艺_03硅的氧化.ppt

第三章硅的氧化二氧化硅是上帝赐给IC的材料。Introduction在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，作为器件的组成部分作为集成电路的隔离介质材料作为电容器的绝缘介质材料作为多层金属互连层之间的介质材料作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层2.1.1SiO2的结构结晶形SiO2的结构无定形SiO2的结构SiO2结构在制备工艺中的应用2.1.2SiO2的主要性质（1）介电强度：单位厚度的绝缘材料所能承受的击穿电压大小与致密程度、均匀

半导体制造工艺03硅的氧化.pptx