半导体探测器最新进展概要.ppt
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半导体探测器最新进展二、半导体探测器的发展三、半导体探测器的原理1、P-N结半导体探测器加反向电压,N区接正,P区接负,外加电场方向与内建电场方向相同,使结区宽度增加。当带电粒子穿过时产生电子-空穴对,在高电场下分别向正负电极漂移,产生信号。应用:带电重粒子测量。3、化合物(CdZnTe)半导体探测器(γ射线)4、单光子雪崩光电二极管探测器单个光子入射到单光子雪崩光电二极管(SPAD)表面时,通过光电效应激发出一个载流子,进而触发雪崩过程,引起一个非常大的雪崩信号,从而实现单个光子的探测。四、半导体探测器
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第十章半导体探测器半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子-空穴对,电子-空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。半导体探测器的特点:10.1半导体的基本性质2)杂质半导体4)受主杂质(Acceptorimpurities)与受主能级Dopingwithvalence5atoms2、载流子浓度和补偿效应2)补偿效应3、半导体作为探测介质的物理性能2)载流子的漂移3)电阻率与载流子寿命10.2P-N结半导体探测器(2)P-N结内的电流(3)外加电场下的P-N结:2)P-N结半导体探测
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第十二章光电探测器引言光电探测器的性能参数光电探测器的噪声半导体光电探测器光电导探测器光伏探测器光电池光电二极管光电三级管半导体器件的选择CCD探测器引言引言引言外光电效应:光致发射内光电效应:光子不逸出表面引言光电探测器的性能参数光电探测器的性能参数信号噪声比光电探测器的性能参数光电探测器的性能参数频率响应——探测器的响应度随入射光调制频率的变化特征多数探测器的响应度与调制频率的关系为当时,光电探测器的性能参数光电探测器的噪声光电探测器的噪声光电探测器的噪声光电探测器的噪声光电探测器的噪声光电探测器的噪
半导体探测器几何结构.pdf
描述了一种制造半导体探测器设备的方法,该半导体探测器设备对预定能量范围内的入射辐射表现出目标灵敏度,该方法包括:提供半导体探测器;在半导体探测器的探测器表面上定义大量像素;其中探测器的几何结构是参照所述像素的尺寸来控制的,使得预定能量范围内的单个相互作用事件将在构成至少三个像素的集群的多个相邻像素的每一个中产生可探测信号。还描述了通过这种方法制造的探测器和使用这种探测器获得关于入射辐射的光谱信息的方法。