半导体器件分解.ppt
第7章半导体器件☆学会用工程分析方法，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。1.对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。2.元器件本身是非线性的，具有分散性，元器件的值有误差，工程上允许一定的误差。7.1半导体的基本知识单晶硅(Si)的原子结构平面示意图本征半导体的导电性：SiSi综上所述：1.在杂质半导体中多子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。金属触丝半导体二极管实物图片二、伏安特性二极管具有单向导
2024-11-26
10
1.7MB
半导体器件分析.ppt
第二章半导体器件2.1半导体的基本知识本征半导体的共价键结构这一现象称为本征激发，也称热激发。可见本征激发同时产生电子空穴对。外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。二.杂质半导体在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。N型半导体内电场E少子飘移2.PN结的单向导电性(2)加反向电压——电源正极接N区，负极接P区PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。3.PN
2024-11-26
10
1.4MB
半导体器件三极管讲解.ppt
§1.3双极型三极管1.3.1三极管的结构与符号三极管的电流分配与控制1内部载流子运动形成的电流(1)内部电流分配关系(1)内部电流分配关系（2）电流控制作用(3)三种组态1.3.3三极管的伏安特性曲线1.输入特性曲线2.输出特性曲线输出特性曲线输出特性曲线总结三极管工作情况总结1.3.4半导体三极管的主要参数三极管的直流参数三极管的交流参数三极管的交流参数2三极管的极间反向电流当集电极电流增加时，就要下降，当值下降到线性放大区值的2/3时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。三极管的极
2024-11-26
10
474KB
半导体器件三极管.ppt
1.3.1三极管的结构与符号三极管的电流分配与控制1内部载流子运动形成的电流(1)内部电流分配关系(1)内部电流分配关系（2）电流控制作用(3)三种组态1.3.3三极管的伏安特性曲线1.输入特性曲线2.输出特性曲线输出特性曲线输出特性曲线总结三极管工作情况总结1.3.4半导体三极管的主要参数三极管的直流参数三极管的交流参数三极管的交流参数2三极管的极间反向电流当集电极电流增加时，就要下降，当值下降到线性放大区值的2/3时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。三极管的极限参数三极管的极限参
2024-11-26
10
832KB
半导体器件(补充部分).ppt
补充半导体器件半导体的特性本征半导体+41.半导体中两种载流子杂质半导体+4半导体二极管一、PN结中载流子的运动3.空间电荷区产生内电场5.扩散与漂移的动态平衡二、PN结的单向导电性2.PN结外加反向电压(反偏)综上所述：当PN结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态；当PN结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零，PN结处于截止状态。可见，PN结具有单向导电性。二极管的伏安特性1.正向特性2.反向特性结论：双极型三极管(BJT)三极管的结构图三极管结构示意图和符号(a)NP
2024-11-26
10
2.2MB
半导体器件(施敏).ppt
现代半导体器件物理课程概况学习目标教材和参考资料半导体器件物理研究什么？为什么要学习该课程？信息产业特点半导体工业的核心IC的战略地位两个列子半导体器件的重要性3.促进传统产业技术改造几乎所有的传统产业与微电子技术结合，用IC芯片进行智能改造，都可以使传统产业重新焕发青春；全国各行业的风机、水泵的总耗电量约占了全国发电量的36%，仅对风机、水泵采用变频调速等电子技术进行改造，每年即可节电659亿度以上，相当于三个葛洲坝电站的发电量(157亿度/年)；半导体照明工程对白炽灯进行高效节能改造，并假设推广应用3
2024-11-26
10
14.6MB
半导体器件(二级管你三极管场效应管)概要.ppt
半导体的特性掌握：掌握PN结的单向导电性；掌握半导体器件它们的特性和主要参数。理解：理解普通二极管、稳压二极管、晶体管和场效应管的工作原理。了解：本征半导体、杂质半导体和PN结的形成。重点：PN结的单向导电性与各种电子器件的主要特性及主要参数。难点：各种电子器件的主要特性。图硅原子结构本征半导体+4（1）本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为电子-空穴对。杂质半导体二、P型半导体1.在杂质半导体中多子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。结论：PN结及其单向导电性空间电荷区二、PN结的单向导电性
2024-11-26
10
4.4MB
半导体发光材料.ppt
目录半导体发光材料的条件半导体发光材料半导体发光材料半导体发光材料GaAs半导体材料GaAs基本性质GaAs的发光原理GaAs的发光原理GaAs的发光原理GaAs的发光原理半导体发光材料Si基发光材料Si基发光材料杂质发光硅基量子结构半导体发光材料器件半导体发光材料器件参考文献谢谢！
2024-11-26
10
912KB
半导体制冷片帕尔贴概要.ppt
帕尔贴制冷什么是帕尔贴？peltier制冷片制冷特点及应用通过以上分析，半导体温差电器件应用范围有：致冷、加热、发电，致冷和加热应用比较普遍，有以下几个方面：应用领域应用范围1.军事方面导弹、雷达、潜艇等方面的红外线探测、导行系统2.医疗方面冷力、冷合、白内障摘除器、血液分析仪等3.实验室装置方面冷阱、冷箱、冷槽、电子低温测试装置、各种恒温、高低温实验仪器4.专用装置方面石油、生化产品低温测试仪、细菌培养箱、恒温显影槽、电脑等5.日常生活方面空调、冷热两用箱、饮水机、电子信箱等。此外，还有其它方面的应用工
2024-11-26
10
1.5MB
半导体制作工艺掺杂.ppt
芯片制造工艺掺杂主要内容为了在硅片内部指定区域得到选择性掺杂，核心步骤为：（1）在硅片表面生长一层二氧化硅层。该二氧化硅层除了保护硅片表面和绝缘外，其关键是作为掺杂杂质的阻挡层。二氧化硅层将阻挡掺杂原子进入硅表面。（2）在硅片表面的二氧化硅层上确定“窗口”（window）。该窗口的大小和形状对应于需要的掺杂区域。（3）用腐蚀剂去掉窗口内的二氧化硅，但不除去硅，使窗口的硅表面暴露在外。（4）把整个硅片置于掺杂源下，通过扩散或离子注入使掺杂原子进入二氧化硅未覆盖的区域中，从而改变硅的杂质性质。5.1概述ⅢA族
2024-11-26
10
2.8MB