半导体发光材料.ppt
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半导体照明及无机发光材料.ppt
无机发光材料及半导体照明一、引言二、半导体照明三、无机发光材料四、无机发光材料的制备方法五、稀土掺杂的无机发光材料一、引言二、半导体照明半导体发光原理示意图基质激活剂敏化剂激活剂并不是在所有的基质中都可以作为发光中心,只是相对于某种发光基质而言的;敏化剂并不是对所有的激活剂具有敏化作用,也只是相对于某种基质中的某种激活剂而言的。电荷补偿剂四、无机发光材料的制备方法1、溶胶-凝胶法●产品的均匀性好,使激活离子能够均匀地分布在基质晶格中,有利于寻找发光体发光最强时激活离子的最低浓度。●烧结温度比高温固相反应温
半导体发光元件、发光装置.pdf
本发明的课题是在采用Ⅲ族氮化物半导体输出呈现绿色的波长的光的半导体发光元件中,降低输出的光的发光波长的分布,使单色性提高。半导体发光元件(1)具备:含有n型杂质(Si)的n型覆盖层(142)、在n型覆盖层(142)上层叠的发光层(150)、包含含有p型杂质(Mg)并且在发光层(150)上层叠的p型覆盖层(161)的p型半导体层(160)。发光层(150)具备第1势垒层(1511)~第5势垒层(1515)、和第1阱层(1521)~第5阱层(1524),具有由2个势垒层夹持1个阱层的多量子阱结构。并且,p型覆
半导体发光元件、发光装置.pdf
本发明的课题是在使用III族氮化物半导体输出呈绿色的波长的光的半导体发光元件中使发光输出功率提高。一种半导体发光元件(1),具有:含有n型杂质(Si)的n型覆盖层(142);层叠在n型覆盖层(142)上的发光层(150);和含有p型杂质且层叠在发光层(150)上的p型覆盖层(161)。发光层(150)具有多量子阱结构,所述多量子阱结构具备第1势垒层(1511)~第5势垒层(1515)和第1阱层(1521)~第4阱层(1524),且由两个势垒层夹持一个阱层。在发光层(150)中设为下述构成:以输出绿色光的组
半导体发光元件的外延结构、半导体发光元件及发光装置.pdf
本发明提供一种半导体发光元件的外延结构、半导体发光元件及发光装置,本申请的外延结构至少包括依次叠置的N型层、V坑开启层、发光层以及P型层,其中所述发光层为交替堆叠的阱层和势垒层,所述阱层的带隙能量低于所述势垒层的带隙能量;其中,V坑开启层包含所述第一超晶格层,并且所述V坑开启层的底表面距离所述第二超晶格层的底表面的距离小于或等于0.15μm,所述第一超晶格层的底表面距离所述发光层的厚度介于0.05μm~0.3μm,使V表面坑的尖端位置不低于发光层的起初始位置,由此降低了外延层中的漏电通道路径,提高了LED