半导体器件(补充部分).ppt

补充半导体器件半导体的特性本征半导体+41.半导体中两种载流子杂质半导体+4半导体二极管一、PN结中载流子的运动3.空间电荷区产生内电场5.扩散与漂移的动态平衡二、PN结的单向导电性2.PN结外加反向电压(反偏)综上所述：
当PN结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态；当PN结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零，PN结处于截止状态。
可见，PN结具有单向导电性。二极管的伏安特性1.正向特性2.反向特性结论：双极型三极管(BJT)三极管的结构图三极管结构示意图和符号(a)NPN型集电区三极管的放大作用
和载流子的运动三极管内部结构要求：三极管中载流子运动过程一、输入特性(2)UCE>0时的输入特性曲线二、输出特性2.放大区：3.饱和区：判断BJT工作状态的关键知识VCC三极管的主要参数二、反向饱和电流三、极限参数3.极间反向击穿电压PNP型三极管PNP三极管电流和电压实际方向。三极管的三种工作状态+0.7V题1－15（a）测得放大电路中BJT的各极电位如图所示，试识别管脚，并判断是NPN型，还是PNP型，硅管还是锗管。本章作业1.4场效应三极管DP沟道场效应管二、工作原理1.设UDS=0，在栅源之间加负电源VGG，改变VGG大小。观察耗尽层的变化。2.在漏源极间加正向VDD，使UDS>0，在栅源间加负电源VGG，观察UGS变化时耗尽层和漏极ID。G三、特性曲线1.转移特性IDSS/V场效应管的两组特性曲线之间互相联系，可根据漏极特性用作图的方法得到相应的转移特性。绝缘栅型场效应管一、N沟道增强型MOS场效应管2.工作原理(2)UDS=0，0<UGS<UT(4)UDS对导电沟道的影响(UGS>UT)D3.特性曲线二、N沟道耗尽型MOS场效应管N沟道耗尽型MOS管特性场效应管的主要参数二、交流参数三、极限参数种类种类