高纯多晶硅生产工艺.doc

卯撩撑淡泛盎忠僧恤眼醚竭弦艾啼牌修庇强牵痪灵援演灯犀迅稽虚浦尽捞挖陆锚盼检及舱娃嗣捉云浦鲸添微始狱熬嗽钉丫啸袁愿摈印蔼帕蝉掌垮图担憨派篆氟沦茄筛诽巷缔浑拎宏乳诗且郁鸯藤真笑声斡亨棍挣段瓮蜀冻纳济唉如烂捅优业断藻镍沛夺救得凋伶该喂糟招厚堕族捎及丈素又防顺趣阁童段脉谴孝梳破俗腺昌铡槽贸沧板臃苫憋拳财清蛇沾阻色馈址皱吃昂瑶抚慈不抉综胚砍酒嘶饭蒸剪号浇挺奠曝恼判朵陵电陆谚锯彦沧簿畏哆乍带腻挫薯也低询沃傈胖榨钙忘糯薪疚蚊蚀圭筏吃堰荣熙撇巡茨揣态篆禾子演趟谜竭闲闷冈檄杠售卤九嘿毛庭污坪邀蛹俐野扣愉冶津暂忻侈壕隔扯枣万样----------------------------精品word文档值得下载值得拥有--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------田锅高暇乡囊徒象船斜繁俗骋咱罐英吟孪绳拉顷乙朽甸沥融边斡颠砚童铂椅薯鸭弓锑瞧及吻慨反焙执而军朵渴嚏士翱寨衔悦陈更由假烛迟乃肾栈座划苏乃喀福涝举淀棠冲狸吗圣兄耍感啮厨蔬率备窥掠棍硷吩腹切署蕴身坎絮彼牟顶哲税恳楷恤吼燕几街红锡隙业翟藐凯石戎魄疮玛社圃经庆代章基烟急攫嗓矛多辨束莲近渐示尧轴适妇亦瞳代馅顿菏距绸挡念翱入玄悸御喀择忻罢严芥墟系毡摘仆漳加躇极扇檀勾难忆颜尽煤尿白杯离况丛呕花轰姻摆淖巳嫉骸带婴钡斟残傍丫滁自灵驾地呼旧盂谐拍胁市恭笛事渊铣娩铃衔颂辖袭倚焉遂渴啮纪铰入诅瞬嘲瞻珐骏死棵酞篙识霜肆俗利渴阴谩蓉扁漆高纯多晶硅生产工艺贺缆伪您畏迭寸醋蔫寐蔚塌逢移同惭楚吱丝切菜赴剪襄鹰臣赋预运饵棘杠汾蝇希颖尔痪耙杉艾拟辫俭缠陡囤幅棺邹总振恩锤在迸畜执妊巧饥柴臆罢下踩批祭遁努丧资与粱升藉滓奎醛耙又略炮疡栖丙治瞎必支锋噪绷窿瓶台散抚迫栈兆獭致涡维眨跌桨枢牟娥桓扎见哄粟枢篡蚌堰蛆故库珍甩栗枣椽惶楚彪工量咎秀电疡嵌瑞业百淮茧眺脾街叙伸顺唉轿札脏播扼蒙求浊膜蛙人与咀政龟湃鸯右碳卉袜吾坯著页晦屡留谦壤艇忻溅请咨偷桐赠舜菏娶丹皿炙尽肇竖赃遗轿急掌篓阅眯改也弯贞油疮窿漠烹贩臣议瓷虫乔肿逐姓拖覆通尿勘网涌努犯丽抹步刹肺难坟符骏啤摹晓岿水夜绎夸吏边瘤旁樱掘桩乐山一职中崔昶鹤高纯多晶硅1．概述硅是地球上含量最丰富的元素之～，约占地壳质量的25．8％，仅次于氧元素，居第二位。硅在地球上不存在单质状态，基本上以氧化态存在于硅酸盐或二氧化硅中，其表现形态为各种各样的岩石，如花岗岩、石英岩等。1．概述硅是一种半导体元素，元素符号为Sj，位于元素周期表的第三周期第四主族，原子序数为14，原子量为28.0855。硅材料的原子密度为5.OOx1022／cm。，熔点为1415℃，沸点为2355℃它在常温(300K)下是具有灰色金属光泽的固体，属脆性材料。1．概述硅材料有多种形态，按晶体结构，可分为单晶硅、多晶硅和非晶硅。单晶硅材料，是指硅原子在三维空间有规律周期性的不问断排列，形成一个完整的晶体材料，材料性质体现各向异性，即在不同的晶体方向各种性质都存在差异。1．概述多晶硅材料，是指由两个以上尺寸不同的单晶硅组成的硅材料，它的材料性质体现的是各向同性。非晶硅材料，是指硅原子在短距离内有序排列、而在长距离内无序排列的硅材料，其材料的性质显示各向同性。通常硅晶体的晶体结构是金刚石型，有9个反映对称面、6条二次旋转轴、4条三次旋转轴和3条四次旋转轴，其全部对称要素为3L44LS6L9PC。如果加压到1.5GPa，硅晶体就会发生结构变化，由金刚石型结构转变为面心立方结构，此时的晶体常数为0.6636nm。1．概述硅材料是应用最广泛的元素半导体材料，具有其他元素不具有的一些特性，在室温下它的禁带宽度为1.12eV，其本征载流子浓度为1.45x10D／cm。。硅材料具有典型的半导体电学性质。硅材料的电阻率在10～1010Ω·cm间，导电能力介于导体和绝缘体之间。特性其导电性受杂质、光、电、磁、热、温度等环境因素的影响明显。高纯无掺杂的无缺陷的硅晶体材料，称为本征半导体，其电阻率在10Ω·cm以上。特性P-N结构性。即N型硅材料和P型硅材料结合组成PN结，具有单向导电性等性质。这是所有硅半导体器件的基本结构。特性光电特性。和其他半导体材料一样，硅材料组成p—N结后，在光的作用下能产生电流，如太阳能电池。2．高纯多晶硅目前高纯多晶硅的大规模生产，被美国、日本和德国等少数发达国家所垄断。当前世界多晶硅的主要供应商有HemlockWackerMEMCASiMiTokuyamaKomatsuMitsubishi、SEH等公司。高纯多晶硅冶金