计算机组成原理实验_存储器部件教学实验.pdf

实验题目存储器部件教学实验一、实验目的：1.熟悉ROM芯片和RAM芯片在功能和使用方法等方面的相同和差异之处。学习用编程器设备向EEPROM芯片内写入一批数据的过程和方法。2.理解并熟悉通过字、位扩展技术实现扩展存储器系统容量的方案。3.了解静态存储器系统使用的各种控制信号之间正常的时序关系。4.了解如何通过读、写存储顺的指令实现对58C65ROM芯片的读、写操作。加深理解存储器部件在计算机整机系统中的作用。二、实验设备与器材：TEC-XP+教学实验系统和仿真终端软件PCEC。三、实验说明和原理：1、内存储器原理内存储器是计算机中存放正在运行中的程序和相关数据的部件。在教学计算机存储器部件设计中，出于简化和容易实现的目的，选用静态存储器芯片实现内存储器的存储体，包括唯读存储区和随读写存储区两部分，ROM存储区选用4片长度8位、容易8KB的58C65芯片实现，RAM存储区选用2片长度8位、容量2KB的6116芯片实现，每2个8位的芯片合成一组用于组成16位长度的内存字，6个芯片被分成3组，其地址空间分配关系是：0-1777h用于第一组ROM，固化监控程序，2000-2777h用于RAM，保存用户程序和用户数据，其高端的一些单元作监控程序的数据区，第二组ROM的地址范围可以由用户选择，主要用于完成扩展内存容量的教学实验。地址总线的低13位送到ROM芯片的地址线引脚，用于选择芯片内的一个存储字。用于实现存储字的高位字节的3个芯片的数据线引脚、实现低位字节的3个芯片的数据线引脚分别连接在一起接到数据总线的高、低位字节，是实现存储器数据读写的信息通路。数据总线要通过一个双向三态门电路与CPU一侧的内部总线IB相连接，已完成存储器、接口电路和CPU之间的数据通讯。2、扩展教学机的存储空间四、实验内容：1)要完成存储器容量扩展的教学实验，需为扩展存储器选择一个地址，并注意读写和OE等控制信号的正确状态。2)用监控程序的D、E命令对存储器进行读写操作，比较RAM（3116）、EEPROM（28系列芯片）、EPROM（27系列芯片）在读写上的异同。3)用监控程序的A命令编写一段程序，对RAM（6116）进行读写，用D命令查看结果是否正确。4)用监控程序的A命令编写一段程序，对扩展存储器EEPRM（28系列芯片）进行读写，用D命令查看结果是否正确；如不正确，分析原因，改写程序，重新运行。五、实验步骤：1.检查FPGA下方的标有“/CE”的四组插针均是左边两个短接；2.检查RAM（6116）上方的标有“/WE”的插针应是左边两个短接；3.RAM（6116）支持即时读写，可直接用A、E命令向扩展的存储器输入程序或改变内存单元的值。RAM中的内容在断电后会消失，重新启动实验机后会发现内存单元的值发生了改变。1>用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。<1>在命令行提示符状态下输入：E2020↙屏幕将显示：2020内存单元原值：按如下形式键入：2020原值：2222（空格）原值：3333（空格）原值：4444（空格）原值：5555*<2>在命令行提示符状态下输入：D2020↙屏幕将显示从2020内存单元开始的值，其中2020H~2023H的值为：2222333344445555问题：断电后重新启动教学实验机，用D命令观察内存单元2020~2023的值。会发现什么问题，为什么？会发现原来置入到这几个内存单元的值已经改变，用户在使用RAM时，必须每次断电重新启动后都要重新输入程序或修改内存单元的值。0000FFF70000FFFF2>用A命令输入一段程序，执行并观察结果。在命令行提示符状态下输入：A2000↙屏幕将显示：2000：按如下形式键入：2000：MVRDR0，AAAA2002：MVRDR1，55552004：ANDR0，R12005：RET2006：↙采用单步和连续两种方式执行一段程序，查看结果，断电后发生什么情况？答：断电前，单步和连续结果一样；断电后，单步可以运行，但前后结果不一样，断电后，连续不可运行。RAM芯片可直接用A命令键入程序，但断电会丢失，要再次调适该程序必须重新输入，对那些较长的程序或经常用到的程序可通过交叉汇编，在上位机生成代码文件，每次加电启动后不用重新输入，只需通过PCEC16将代码文件传送给下位机即可。4.将扩展的ROM芯片插入标有“EXTROMH”和“EXTROML”的自锁紧插座，要注意芯片插入的方向，带有半圆形缺口的一方朝左插入。如果芯片插入方向不对，会导致芯片烧毁，然后锁紧插座。5.将扩展芯片下方的插针按下列方式短接：将标有“/MWR”和“RD”的三个插针左面两个短接，将标有“/MWR”“/OE”“GND”的三个插针左边两个短接。6.将扩展芯片上方标有EXTROMH和EXTROML的“/CS”信号用自锁紧线短接，