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实验报告 实验人:学号:日期:2008.10.22 院(系):计算机系专业(班级): 实验题目:存储器系统设计实验 一.实验目的 1.了解存储器的组成结构,原理和读写控制方法 2.了解主存储器工作过程中各信号的时序关系 3.了解挂总线的逻辑器件的特征 4.了解和掌握总线传送的逻辑实现方法 二.实验原理 1.基本操作:读写操作 读操作是从指定的存储单元读取信息的过程;写操作是将信息写入存储器指定的存 储单元的过程 2.读写操作过程 首先要由地址总线给出地址信号,选择要进行读写操作的存储单元,然后,做写操 作时,先从数据总线输入要存储在该单元的数据,通过控制总线发出相应的写使能和写 控制信号,这时,数据保存在该单元中;做读操作时,只要通过总线发出相应的读控制 信号。该数据就出现在总线上了 3.总线传送 计算机的工作过程,实际上也就是信息的传送和处理过程,而信息的传送在计算机 里面频度极高,采用总线传送必不可少,它可减少传输线路、节省器件、提高传送能力 和可靠性。总线传送器件中大量使用的是三态门。三态门(ST门)主要用在应用于多个 门输出共享数据总线,为避免多个门输出同时占用数据总线,这些门的使能信号(EN) 中只允许有一个为有效电平(如低电平),由于三态门的输出是推拉式的低阻输出,且 不需接上拉(负载)电阻,所以开关速度比OC门快,常用三态门作为输出缓冲器。其中 74LS244是专用做挂总线用的三态门器件之一。 4.原理结构图 图1 4.LPM_RAM_DQ介绍 LPM_RAM_DQ是一个参数化RAM,有独立的输入和输出端口 相关控制信号功能如下表: 操作控制端功能 WEINCLOCKOUTCLOCK (写使能)(写控制)(读控制) 读0,1与读写操作0,1与读写操作↑触发读出RAM中数 无关无关1有效据 写1有效↑触发0,1与读写操作将数据写入 1有效无关RAM 此外,需设置的相关参数为: LPM_WIDTH=8,LPM_WIDTHAD=8,LPM_NUMWORDS=256,INCLOCK=”Used”, OUTCLOCK=”Used”,LMP_OUTDATA=”REGISTERED”,LMP_INDATA=”REGISTERED” LPM_ADDRESS_CONTROL=”UNREGISTERED” 三.实验内容 设计一个存储容量为256X8位可读写的存储器,规定: ·CP-MAR(地址寄存器)为接受地址的控制信号,IN-DATA、OUT-DATA、为三态八缓冲 器控制信号,其中IN-DATA控制数据是否输入到总线上,OUT-DATA控制数据是否输出到 总线上; ·RD为读RAM信号,WR为写RAM信号,WR-E为写使能信号。 测试内容: 将82H、86H写入08H,68H单元中,再将其读出,同时将68H单元内容86H又写入81H单元 中,再次将其读出。 四.实验器材 1.电脑一台 2.MAX+plusII电路设计软件一套 3.器件 LPM_RAM_DQ一个:参数化RAM(存储器) 74273*1:八D触发器(地址寄存器);74244*2:八缓冲(三态输出) 五.实验分析与设计 1.按照实验原理中的存储器系统原理结构图在MAX+plusII上接好电路图,实验图如 图2,其中a[7..0]为数据输入端,GN1为输入控制端(低电平有效),CLRN为地址 寄存器清零端,CLK为地址寄存器时钟脉冲,INCLOCK为存储器输入控制端,OUTCLOCK 为存储器输出控制端,GN2为输出控制端(低电平有效) 2.电路测试通过之后按以下步骤进行测试: a.各输入端的默认值,仅当有相关操作时才改变这些值: CLRN=1,CLK=0,WE=0,INCLOCK=0,OUTCLOCK=0 b.把数据82写入地址08,第一步是输入地址08:先把GN1置0、GN2置1,令CLK 置1上升沿发出一个接收地址的控制信号,同一时间在a[7..0]输入08。第二步是输入数据 82:保持GN1、GN2状态不变,在a[7..0]输入82,这期间WE要改为高电平1,INCLOCK要 有上升沿。用相同的方法把86输入到68H中去。 c.读出地址08H中的数据,按b第一步的方法读入数据08,然后把GN1置1、GN2置 1,OUTCLOCK要有上升沿,这样data[7..0]将读出08H上的数据 d.按c上的方法读出68H上的数据,然后按b第一步输入地址81H,然后按b中第二 步把读出来的数据写入81H,其中输入的数据已经在data[7..0]上所以data[7..0]不需要 重新输入数据。 e.由于地址寄存器上的地址已经上刚刚输入的81H,所以步