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芯片互连引线键合技术.pptx

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微互连技术之裸芯片组装技术引线键合技术(WB)提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，使焊区金属产生塑性变形，使得引线与被焊面紧密接触，达到原子间引力范围并导致界面间原子扩散而形成焊合点。引线键合键合接点形状主要有楔形和球形，两键合接点形状可以相同或不同。引线键合技术分类热压键合作用机理压头下降，焊球被锁定在端部中央第一键合点的形状在压力、温度作用下形成第二点连接第二键合点契形焊点热压球焊点的外观超声波发生器使劈刀发生水平弹性振动，同时施加向下压力。劈刀在两种力作用下带动引线在焊区金属表面迅速摩擦，引线发生塑性变形，与键合区紧密接触完成焊接。常用于Al丝键合，键合点两端都是楔形。热超声键合（金丝球）：用于Au和Cu丝的键合。采用超声波能量，键合时要提供外加热源。超声键合实物图球形键合第一键合点第二键合点采用导线键合的芯片互连低成本、高可靠、高产量等特点使得WB成为芯片互连主要工艺方法，用于下列封装:·陶瓷和塑料BGA、SCP和MCP·陶瓷和塑料封装QFP·芯片尺寸封装(CSP)