25低介装置陶瓷解析.pptx

§2-1低介装置瓷的基本知识§2-2典型低介装置瓷§2-3低温共烧陶瓷第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础晶体结构(2)自蔓延法，其反应式与上述一样。此工艺特点是反应速度极快，成本低廉，适于工业化生产，所得粉体粒径小于10μm粒径分布不均匀。（3）碳热还原氮化法。其反应式：2Al2O3+3C+N2→2AlN+3CO为保证反应完全，在配料中往往加入过量碳，因此得到的AlN粉需在空气中700℃进行脱碳处理，除去残余的碳，得到AlN粉末粒度细，含氧量低，纯度高。（4）铝的卤化物与氮反应法。此法也称气相法，其反应式为：AlCl3+NH3→AlN+3HCl由于副产品为HCl，故产业化比较麻烦。（5）有机盐裂解法。其反应式为：-RH-RH-RHR3Al+NH3→R3AlNH3→(R2AlNH2）2→（RAlNH）x→AlN此工艺特点是可连续生产，制备粉末高纯超细，原料成本昂贵。（6）超微AlN粉末制备。此工艺是将铝粉在电弧等离子体中蒸发并与氨反应生成AlN，可制得粒度为30nm，比表面为60-100m2/g的超细粉末。此外，还可将铝在低压N2或NH3中用电子来加热使之蒸发并与含氮气体反应，可制得粒度小于10nm的超微AlN粉。2.氮化铝陶瓷制备技术氮化铝作为电子工业应用，其热导率是考虑的重要性能指标。大量研究表明，氧的存在是影响AlN热导的主要因素，因此在考虑选择烧结助剂时，除了能促进致密化外，还能消耗掉氮化铝颗粒表面上的氧去形成第二相（通常为铝酸盐）。碱土金属氧化物和稀土金属氧化物在往是考虑的对象。从显微结构上考虑，要提高AlN热导必须尽量减少晶界相量，净化AlN晶粒间接触，第二相应处于三晶粒交接处，或完全被排除。为此通过选用适当配比的烧结助剂形成可迁移液相，在还原性气氛中长时间烧成或进行烧结后热处理，使液相转移至三叉晶界处以至排出烧结体，这样使AlN陶瓷导热性能提高。近年来AlN陶瓷另一个研究动向是降低烧结温度，把烧结温度降至1600℃附近，使烧结成本降低，以提高AlN陶瓷产品的竞争力，研究表明YF3是一种能降低烧结温度有效的烧结助剂,在1600℃-48h条件下，能得到热导率接近240W/m·K的AlN陶瓷。随着粉料制备和材料工艺改进，导致了AlN陶瓷在性能上取得很大提高，除了在电子、信息方面应用外，已重新考虑在热-机械性能方面应用，因此对AlN基复合材料开展了大量研究。如SiCW-AlN复合材料和TiCP-AlN复合材料。第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础第6章Internet应用基础LTCC定义：将多个不同类型、不同性能的无源元件集成在一个封装内有多种方法，主要有低温共烧陶瓷(LTCC)技术、薄膜技术、硅片半导体技术、多层电路板技术等。从技术成熟程度、产业化程度以及应用广泛程度等角度来评价，目前，LTCC技术是无源集成的主流技术。所谓LTCC技术，就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个无源元件埋入其中，然后叠压在一起，在900℃下烧结，制成三维电路网络的无源集成组件，也可制成内置无源元件的三维电路基板板，在其表面可以贴装