半导体发光器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112997324A(43)申请公布日2021.06.18(21)申请号201980074061.3(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限(22)申请日2019.12.09公司11227代理人舒艳君王秀辉(30)优先权数据2018-2421682018.12.26JP(51)Int.Cl.2019-0038472019.01.11JPH01L33/20(2006.01)H01L33/32(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L33/38(2006.01)2021.05.10(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2019/0479892019.12.09(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/137470JA2020.07.02(71)申请人丰田合成株式会社地址日本爱知县(72)发明人松井慎一镰田良基面家英树权利要求书2页说明书16页附图8页(54)发明名称半导体发光器件(57)摘要本发明的课题在于抑制非发光部中的紫外线的吸收。本发明是一种半导体发光器件，具有：基板，具有第一面；n型半导体层，形成于基板的第一面的上方；发光层，发出紫外线；p型半导体层；以及多个n点电极，与不存在n型半导体层的上部的半导体层的分散地形成的电极形成面接触，接触面具有点电极外周。在发光层中仅形成在与第一面平行的面上具有外周轮廓线的发光区域，以便不存在不发出紫外线的区域，其中，该发光区域是除去p型半导体层、发光层、n型半导体层而留下的发光区域。CN112997324ACN112997324A权利要求书1/2页1.一种半导体发光器件，其特征在于，具有：基板，具有第一面；n型半导体层，形成于上述基板的上述第一面的上方；发光层，发出紫外线；p型半导体层；以及多个n点电极，与不存在上述n型半导体层的上部的半导体层的分散地形成的电极形成面接触，接触面具有点电极外周，在上述发光层中仅形成在与上述第一面平行的面上具有外周轮廓线的发光区域，以便不存在不发出上述紫外线的区域，其中，该发光区域是除去上述p型半导体层、上述发光层、以及上述n型半导体层而留下的发光区域。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，关于沿着上述外周轮廓线最接近该外周轮廓线的多个上述n点电极的排列，上述外周轮廓线距该排列的上述n点电极的点电极外周的分离距离为45μm以下。3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于，上述分离距离大于点电极间距离的1/2，该点电极间距离是最接近的两个n点电极中的上述点电极外周间的最短距离。4.根据权利要求2或3所述的半导体发光器件，其特征在于，上述多个n点电极在对上述第一面的投影图案中配置于正三角形的顶点，从位于上述正三角形的顶点的上述n点电极的上述点电极外周至上述正三角形的重心为止的最短距离小于上述分离距离。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，上述外周轮廓线的长度为外接于该外周轮廓线的四边形的轮廓线的长度的1.05倍以上且1.15倍以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，在上述基板与上述n型半导体层之间设置有AlN层，上述第一面具有被上述AlN层覆盖的第一区域、和未被上述AlN层覆盖的第二区域，上述第一区域的面积相对于上述第一面的总面积的比率为10％以上且80％以下。7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于，具有反射膜，上述反射膜配设于上述基板的上述第二区域。8.根据权利要求6或7所述的半导体发光器件，其特征在于，在上述AlN层，在层叠方向上存在与其他的区域相比碳或者氧的浓度较高的区域。9.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，上述第二区域包围上述第一区域的周围。10.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，存在多个上述第一区域，上述第二区域包围多个上述第一区域的周围。11.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，上述第一区域包围上述第二区域的周围。12.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，存在多个上述第二区域，上述第一区域包围多个上述第二区域的周围。13.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，上述第二区域具有配设于内侧的内侧第二区域、和配设于该内侧第二区域的外侧的外2CN112997324A权利要求书2/2页侧第二区域，上述第一区域包围上述内侧第二区域的周围，上述外侧第二区域包围上述第一区域的周围。14.根据权利要求6～13中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，上述AlN层具有锥形侧面，该锥形侧面具有越远离上述基板的上述第一面则面积越小的取向。15.根据权利