推挽MOS管电压尖峰抑制电路.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106329900A(43)申请公布日2017.01.11(21)申请号201610780667.7(22)申请日2016.08.31(71)申请人苏州迈力电器有限公司地址215151江苏省苏州市高新区浒关分区建林路666号(72)发明人朱海东(74)专利代理机构北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411代理人黄冠华(51)Int.Cl.H02M1/32(2007.01)H02M1/44(2007.01)H02M7/538(2007.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称推挽MOS管电压尖峰抑制电路(57)摘要本发明公开了一种推挽MOS管电压尖峰抑制电路，包括推挽控制单元、功率MOS管驱动单元、推挽升压功率单元、LC谐振单元和辅助电源单元，推挽升压功率单元包括第十MOS管至第十四MOS管和推挽变压器，第十MOS管的漏极和第十一MOS管的漏极均与推挽变压器的初级线圈的一端连接，第十MOS管的栅极和第十一MOS管的栅极均与功率MOS管驱动单元的一个输出端连接，LC谐振单元包括漏感和聚丙烯电容，推挽控制单元包括主控芯片，主控芯片的第十三引脚和第十五引脚均连接12V电源。本发明能消除漏感引起的电压尖峰、提高逆变器的整体性能、减小损耗、提高整机效率、降低逆变器整体成本、使电路的EMC效果更好。CN106329900ACN106329900A权利要求书1/2页1.一种推挽MOS管电压尖峰抑制电路，其特征在于，包括推挽控制单元、功率MOS管驱动单元、推挽升压功率单元、LC谐振单元和辅助电源单元，所述推挽升压功率单元包括第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十四MOS管和推挽变压器，所述第十MOS管的漏极和第十一MOS管的漏极均与所述推挽变压器的初级线圈的一端连接，所述第十MOS管的源极和第十一MOS管的源极均接地，所述第十MOS管的栅极和第十一MOS管的栅极均与所述功率MOS管驱动单元的一个输出端连接，所述第十二MOS管的漏极和第十四MOS管的漏极均与所述推挽变压器的初级线圈的另一端连接，所述第十二MOS管的源极和第十四MOS管的源极均接地，所述第十二MOS管的栅极和第十四MOS管的栅极均与所述功率MOS管驱动单元的另一输出端连接，所述推挽控制单元输出PWM控制信号，所述PWM控制信号通过所述功率MOS管驱动单元控制所述第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管和第十四MOS管正常工作，并对输入的直流电进行升压后，通过所述LC谐振单元产生直流高压电，所述LC谐振单元包括漏感和聚丙烯电容，所述漏感的一端与所述推挽变压器的次级线圈的一端连接，所述漏感的另一端与所述聚丙烯电容的一端连接，所述辅助电源单元分别与所述推挽控制单元和功率MOS管驱动单元连接、用于供电，所述推挽控制单元包括主控芯片，所述主控芯片的第十三引脚和第十五引脚均连接12V电源。2.根据权利要求1所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述LC谐振单元还包括第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第四电解电容和第一电容，所述聚丙烯电容的另一端分别与所述第五二极管的阴极和第六二极管的阳极连接，所述推挽变压器的次级线圈的另一端分别与所述第三二极管的阳极和第四二极管的阴极连接，所述第三二极管的阴极和第六二极管的阴极均与所述第四电解电容的正极连接，所述第四二极管的阳极、第五二极管的阳极和第四电解电容的负极均接电源地，所述第一电容的一端与所述第四电解电容的正极连接，所述第一电容的另一端接所述电源地。3.根据权利要求1或2所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述推挽升压功率单元还包括第五十五电阻和第二十五电容，所述第五十五电阻的一端与所述推挽变压器的初级线圈的一端连接，所述第五十五电阻的另一端与所述第二十五电容的一端连接，所述第二十五电容的另一端与所述推挽变压器的初级线圈的另一端连接。4.根据权利要求3所述的推挽MOS管电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述推挽升压功率单元还包括第六电阻、第七电阻、第九电阻、第十电阻、第七十电阻、第七十一电阻、第七十二电阻和第七十三电阻，所述第六电阻的一端分别与所述第十四MOS管的栅极和第七十三电阻的一端连接，所述第七电阻的一端分别与所述第十二MOS管的栅极和第七十二电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端和第七电阻的另一端均接地，所述第七十二电阻的另一端和第七十三电阻的另一端连接，所述第九电阻的一端分别与所述第十MOS管的栅极和第七十电阻的一端连接，所述第十电阻的一端分别与所述第十一MOS管的栅极和第七十一电阻的一端连接，所述第九电阻的另一端和第十电阻的另一端均接地，所述第七十电阻的另一端与所述第七十一电阻的另一端连接。5.