Boost电路开关瞬间电压尖峰产生机理及抑制方法.docx
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Boost电路开关瞬间电压尖峰产生机理及抑制方法标题:Boost电路开关瞬间电压尖峰产生机理及抑制方法摘要:Boost电路作为一种常见的直流-直流升压电路,广泛应用于能源产业、通信设备、工业控制等领域。然而,Boost电路在开关瞬间容易产生电压尖峰,严重影响电路性能和系统稳定性。本文通过分析Boost电路的开关瞬间电压尖峰产生机理,提出了一系列抑制方法,以提高Boost电路的性能和稳定性。一、引言1.1研究背景1.2研究目的二、Boost电路及其开关瞬间电压尖峰2.1Boost电路工作原理2.2Boost
推挽MOS管电压尖峰抑制电路.pdf
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功率器件主动抑制尖峰电压的方法.pdf
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抑制SiC MOSFET瞬态电压尖峰的改进驱动电路设计.pdf
科技创新与应用2021年14期TechnologyInnovationandApplication创新前沿抑制SiCMOSFET瞬态电压尖峰的改进驱动电路设计王文月1,牛萍娟2(1.天津工业大学电气工程与自动化学院,天津300000;2.天津工业大学电子与信息工程学院,天津300000)摘要:与硅器件相比,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiCMOSFET)具有更高的开关频率与开关速度,使得传统驱动下SiCMOSFET受寄生参数影响电压尖峰问题更为严重。而现有抑制瞬态电压尖峰方法作用有限,往往会增加开关延