一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107275455A(43)申请公布日2017.10.20(21)申请号201710613516.7(22)申请日2017.07.25(71)申请人南京迈智芯微光电科技有限公司地址210006江苏省南京市秦淮区牵牛巷16号(72)发明人季渊沈伟星(74)专利代理机构上海旭诚知识产权代理有限公司31220代理人郑立(51)Int.Cl.H01L33/36(2010.01)H01L51/52(2006.01)H01L27/15(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法(57)摘要本发明公开了一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法，涉及发光器件制造领域，包括以下步骤：在硅衬底上铺设隔离材料层，如光致抗蚀剂或氧化硅或氮化硅或其混合物，利用掩膜版刻蚀出电极所在区域，所述硅衬底中包含驱动电路，驱动电路包含金属氧化物半导体场效应晶体管；在具有镂空的第一隔离材料的硅衬底上沉积下电极材料，且露出第一隔离材料侧面；下电极包含第一接触层、光反射层和/或第二接触层；采用干法或湿法去除第一隔离材料以及覆盖其上的下电极材料，形成单个独立的下电极；在平整的单个独立的所述下电极上制作发光材料和上电极材料。本发明所述的电极制备方法将剥离工艺与传统的成膜工艺相结合，降低生产成本，提高产品良率。CN107275455ACN107275455A权利要求书1/1页1.一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在单晶硅衬底上铺设隔离材料层，利用掩膜版刻蚀出下电极所在区域，所述硅衬底中包含驱动电路，所述驱动电路包含金属氧化物半导体场效应晶体管；在具有镂空的第一隔离材料的硅衬底上沉积下电极材料，且露出第一隔离材料的侧面；采用干法或湿法去除第一隔离材料以及覆盖其上的下电极材料，形成单个独立的下电极；在平整的单个独立的所述下电极上制作发光材料和上电极材料，所述发光材料为有机材料或无机材料。2.如权利要求1所述的电极制备方法，其特征在于，还包含在所述下电极间填充第二隔离材料，直至填平下电极间的空隙的步骤。3.如权利要求1或2所述的电极制备方法，其特征在于，所述第一隔离材料和第二隔离材料为光致抗蚀剂、氧化硅、氮化硅中的一种或其混合物。4.如权利要求1或2所述的电极制备方法，其特征在于，所述第一隔离材料层呈正梯形状或倒梯形状。5.如权利要求1或2所述的电极制备方法，所述下电极材料的边沿形成弧形或台阶形或斜边形。6.如权利要求1或2所述的电极制备方法，其特征在于，还包括使所述下电极清洁和平坦化的步骤。7.如权利要求1或2所述的电极制备方法，其特征在于，所述下电极包含用于和硅衬底接触的第一接触层，所述第一接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、ITO、ZnOx单质或其任意比例的混合物。8.如权利要求1或2所述的电极制备方法，其特征在于，所述下电极包含用于反射发光材料发射出光的光反射层，所述光反射层的材料为Al、Ag金属单质或其任意比例的混合物。9.如权利要求1或2所述的电极制备方法，其特征在于，所述下电极包含用于改善下电极和所述发光材料触性能的第二接触层，所述第二接触层为ITO、GaInO、GaInSnO、ZnInO、ZnInSnO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物。10.如权利要求1或2所述的电极制备方法，其特征在于，还包含在上电极上制作至少一层薄膜封装材料，所述薄膜封装材料用于隔离水和氧。2CN107275455A说明书1/4页一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法技术领域[0001]本发明涉及发光器件制造领域，尤其涉及一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法。背景技术[0002]现有技术中的发光器件的电极制备方法多采用PVD成膜加上干法或湿法刻蚀出单独的电极结构，如授权公告号为CN101459226B，发明名称为“顶部发光有机显示器的阳极结构及其制造工艺”公开了在硅衬底上用PVD的方法镀膜形成阳极电机的方法，但是采用镀膜法形成电极需要多套掩膜版，生产成本很高，且多套掩膜版之间需解决垂直对准的技术问题。剥离工艺是一种通过牺牲材料在基底表面上建立目标材料结构的常用方法。[0003]因此，本领域的技术人员致力于开发一种基于剥离工艺的硅基发光器件的电极制备方法，将剥离工艺与传统的成膜工艺相结合，降低生产成本，提高产品良率。发明内容[0004]有鉴于